负偏压温度不稳定性

作品数：31被引量：27H指数：2
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一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
《集成电路应用》2023年第4期48-51,共4页李冰寒 于涛易 华晓春 
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力...
关键词：集成电路制造 PMOS 负偏压温度不稳定性 工艺优化 
面向微处理器核的片上老化检测模块设计被引量：1
《传感器与微系统》2021年第2期89-91,94,共4页刘帅 虞致国 洪广伟 顾晓峰 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510);江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(SICX18_0647);江苏省重点研发计划资助项目。
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统...
关键词：微处理器 负偏压温度不稳定性 片上老化测量 细粒度 
纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2020年第4期118-125,共8页高汭 张小龙 雷胡敏 林晓玲 章晓文 陈义强 黄云 恩云飞 
广东省重点领域研发计划项目(No.2019B010145001)资助。
回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展。首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸Id测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于p...
关键词：纳米PMOSFET 涨落 负偏压温度不稳定性 
部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究被引量：1
《航空科学技术》2020年第1期76-80,共5页王成成 周龙达 蒲石 王芳 杨红 曾传滨 韩郑生 罗家俊 卜建辉 
航空科学基金(201743X2001)~~
NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行...
关键词：负偏压温度不稳定性 PDSOI 快速测试方法 阈值电压 寿命预测 可靠性 
基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究被引量：2
《半导体技术》2019年第7期542-547,共6页田阳雨 罗军 金鹰 吴元芳 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001)
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺...
关键词：电荷泵技术 缺陷能级分布 缺陷空间分布 三维器件 负偏压温度不稳定性(NBTI) 
基于循环向量协同优化电路的NBTI效应和泄漏功耗
《电子科技》2019年第6期74-77,共4页石奇琛 张嘉洋 
当晶体管的特征尺寸减小到45nm时,电路的可靠性已经成为影响系统设计一个关键性因素。负偏压温度不稳定性(NBTI)和泄露功耗引起的电路可靠性现象的主要原因,导致关键门的老化加重,关键路径延迟增加,最终使得芯片失效,影响系统的正常工...
关键词：模型电路可靠性 老化效应 负偏压温度不稳定性 输入向量控制 泄露功耗 
28 nm PMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响
《微电子学》2019年第3期413-417,共5页万雨石 龙世兵 蔡巧明 杨列勇 
国家自然科学基金资助项目(61521064,61322408);国家重点研发计划项目(2016YFA0201803);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048)
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响。在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器件。针对不同栅氧厚度和不同应力条件的器件,采用动态测量方法测量了NBTI的退化情况,采用电荷泵方法测...
关键词：负偏压温度不稳定性 量子阱器件 器件可靠性 
基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法被引量：2
《半导体技术》2019年第4期302-306,共5页卿健 王燕玲 李小进 石艳玲 陈寿面 胡少坚 
国家自然科学基金资助项目(61704056;61574056)
负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基...
关键词：负偏压温度不稳定性(NBTI) 模型提参 可靠性仿真 VerilogA 反应-扩散(RD)模型 
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究被引量：2
《电子学报》2018年第5期1128-1132,共5页崔江维 郑齐文 余德昭 周航 苏丹丹 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金(No.11475255;No.11505282);中国科学院西部之光项目(No.2015-XBQN-B-15)
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应...
关键词：65nm 负偏压温度不稳定性 沟道宽度 
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