林晓玲

作品数：22被引量：34H指数：3
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供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文主题：集成电路芯片可靠性铜互连SIGE_HBT更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《华南理工大学学报（自然科学版）》《集成电路与嵌入式系统》更多>>
所获基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金广州市科技计划项目国家自然科学基金更多>>
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集成电路固有失效机理的可靠性评价综述
《集成电路与嵌入式系统》2024年第7期1-11,共11页章晓文 周斌 牛皓 林晓玲 
ULSI/VLSI集成电路芯片的可靠性既与设计有关,也与工艺加工过程有关,即芯片的可靠性是设计进去、制造出来。设计是集成电路芯片可靠性的基础,工艺制造是集成电路芯片可靠性的实现。要使超大规模集成电路在特定的寿命期间内能够稳定地工...
关键词：ULSI/VLSI集成电路芯片 固有失效机理 可靠性评价标准 可靠性试验方法 
基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第5期462-466,共5页陈选龙 邝贤军 陈兰 林晓玲 刘丽媛 
广东省重点领域研发计划资助项目(2022B0701180002);工业和信息化部电子第五研究所专项基金项目(22Z04)。
EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过...
关键词：失效分析 电路分析 OBIRCH 光发射显微镜 集成电路 
沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究
《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期40-42,共3页韦拢 韦覃如 赵鹏 李政槺 周镇峰 林晓玲 章晓文 高汭 
广州市科技计划项目(202002030299)资助
负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道...
关键词：负偏置温度不稳定性 沟道长度 金属-氧化物半导体场效应晶体管 
GaN MIS-HEMT偏置温度不稳定性表征和寿命预测被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期42-46,共5页高汭 王斌 赵鹏 林晓玲 章晓文 贺致远 陈义强 路国光 黄云 
广东省面上项目(2020A1515010110)资助
MIS-HEMT是最有前景的GaN HEMT器件结构之一,其通过引入高势垒的绝缘介质层,可以极大地抑制栅极泄漏电流,从而降低静态功耗。然而,额外的绝缘介质层在绝缘介质层和AlGaN界面处引入了大量的缺陷,使得MIS-HEMT的可靠性非常差,在偏置电压...
关键词：氮化镓 金属介质半导体 高电子迁移率晶体管 偏置温度不稳定性 恢复效应 老化物理模型 寿命预测 
GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究
《固体电子学研究与进展》2022年第2期146-149,162,共5页刘丽媛 郑林挺 石高明 林晓玲 来萍 陈选龙 
广东省重点领域研发计划资助项目.(2020B010173001)。
介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷...
关键词：GAAS集成电路 金属化缺陷 光发射显微镜 光致电阻变化 失效分析 
基于SEM电压衬度的缺陷定位方法研究被引量：1
《微电子学》2021年第4期608-612,共5页陈选龙 石高明 郑林挺 黎恩良 刘丽媛 徐小薇 林晓玲 
广州市科技计划项目(201907010041)。
光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷。首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提...
关键词：集成电路缺陷 物理失效分析 电压衬度像 光发射显微镜 热激光激发 
纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2020年第4期118-125,共8页高汭 张小龙 雷胡敏 林晓玲 章晓文 陈义强 黄云 恩云飞 
广东省重点领域研发计划项目(No.2019B010145001)资助。
回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展。首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸Id测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于p...
关键词：纳米PMOSFET 涨落 负偏压温度不稳定性 
集成电路失效定位技术现状和发展趋势被引量：5
《半导体技术》2020年第5期329-337,370,共10页陈选龙 王有亮 方建明 林晓玲 倪毅强 
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128002);工业和信息化部质量可靠性设计分析技术突破重点项目(TC190A4DA/6)。
集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中...
关键词：集成电路(IC)失效定位 物理失效分析 电压衬度 光发射显微镜 热激光激发 
芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法被引量：3
《电子产品可靠性与环境试验》2018年第4期49-53,共5页林晓玲 梁朝辉 何春华 
芯片叠层封装是MEMS惯性器件的一种重要封装形式,此类封装的结构特殊性给传统的开封方法带来了极大的困难。提供了一种针对芯片层叠塑料封装MEMS惯性器件的开封技术及其流程,并给出了实际的应用案例。该开封技术综合激光刻蚀法、化学腐...
关键词：芯片叠层封装 微电子系统惯性器件 开封 塑料 
3D叠层封装集成电路的芯片分离技术被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2016年第2期36-40,共5页林晓玲 梁朝辉 温祺俊 
3D叠层封装是高性能器件的一种重要的封装形式,其鲜明的特点为器件的物理分析带来了新的挑战。介绍了一种以微米级区域研磨法为主、化学腐蚀法为辅的芯片分离技术,包括制样方法及技术流程,并给出了实际的应用案例。该技术实现了3D叠层...
关键词：3D叠层封装 集成电路 芯片分离技术 区域研磨法 化学腐蚀法 
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