贺致远

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
发文主题：封装芯片级电子元器件MIHEMT更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《电子产品可靠性与环境试验》更多>>
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GaN MIS-HEMT偏置温度不稳定性表征和寿命预测被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期42-46,共5页高汭 王斌 赵鹏 林晓玲 章晓文 贺致远 陈义强 路国光 黄云 
广东省面上项目(2020A1515010110)资助
MIS-HEMT是最有前景的GaN HEMT器件结构之一,其通过引入高势垒的绝缘介质层,可以极大地抑制栅极泄漏电流,从而降低静态功耗。然而,额外的绝缘介质层在绝缘介质层和AlGaN界面处引入了大量的缺陷,使得MIS-HEMT的可靠性非常差,在偏置电压...
关键词：氮化镓 金属介质半导体 高电子迁移率晶体管 偏置温度不稳定性 恢复效应 老化物理模型 寿命预测 
电子元器件热应力仿真技术综述被引量：3
《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期107-112,共6页惠财鑫 赵鹏 黄云 路国光 贺致远 施宜军 陈义强 卢向军 
广东省重点领域研究发展计划项目(2020B010173001)资助
元器件生产和运行前的热应力仿真分析已经成为检测器件可靠性的有效手段。对电子元器件目前存在的热应力仿真技术进行了综述。介绍了不同级别的热应力仿真技术,包括芯片级、封装级和板级;并且对于芯片在制造及封装的过程中可能存在的热...
关键词：热应力仿真 芯片级 封装级 板级 
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