云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 沟道长度

沟道长度: 作品数：59被引量：21H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张兴黄如朱慧珑刘明李婧更多>>; 相关机构：株式会社半导体能源研究所中国科学院微电子研究所北京大学京东方科技集团股份有限公司更多>>; 相关期刊：《微处理机》《传感技术学报》《大自然探索》《微电子学》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金西安应用材料创新基金更多>>

2011—2023年桦南县侵蚀沟变化趋势: 《水利科学与寒区工程》2025年第2期104-107,共4页王艳刘凤飞勇丽波; 水利部重大科技项目(SKS2022095)。; 以黑龙江省佳木斯市桦南县孟家岗流域选取12条侵蚀沟作为研究对象,分析其在2011—2023年,侵蚀沟形态变化情况及对比经过治理和未经过治理的侵蚀沟沟道各参数的变化情况。结果表明,2011—2023年,小型沟数量增加1条,中型沟数量减少3条,大...; 关键词：侵蚀沟沟道长度沟壑面积桦南县

1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究: 《半导体光电》2024年第3期378-383,共6页李尧牛瑞霞王爱玲王奋强蓝俊张栩莹张鹏杰刘良朋吴回州; 国家自然科学基金项目(61905102,62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119).; 设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐...; 关键词：4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管击穿电压漂移区参数沟道长度

具有亚2-nm沟道长度的二维垂直p-n结二极管被引量：1: 《Science China Materials》2023年第9期3637-3643,共7页王浩云宋星宇李东燕李泽鑫许翔陈韵欣刘鹏斌周兴翟天佑; supported by the National Natural Science Foundation of China (52172144, 21825103, and U21A2069);the Ministry of Science and Technology of China (2021YFA1200500);the technical support from the Analytical and Testing Center at Huazhong University of Science and Technology。; 尺寸极限微缩的p-n结二极管对互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展至关重要.然而,由于界面缺陷和短沟道效应,实现5 nm以下沟道长度的p-n结二极管仍然面临着巨大的挑战.本文展示了1.9 nm沟道的WSe_(2)/WS_(2)垂直p-n结二极管,实现...; 关键词：沟道长度肖特基势垒短沟道效应隧穿电流开关比集成电路二极管界面缺陷

沟道长度对国产28nm pMOSFET NBTI的影响研究: 《电子产品可靠性与环境试验》2022年第S02期40-42,共3页韦拢韦覃如赵鹏李政槺周镇峰林晓玲章晓文高汭; 广州市科技计划项目(202002030299)资助; 负偏置温度不稳定性(NBTI:Negative Bias Temperature Instability)是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一,严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响,结果表明:针对单一沟道...; 关键词：负偏置温度不稳定性沟道长度金属-氧化物半导体场效应晶体管

沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响: 《电脑知识与技术》2021年第26期138-140,共3页刘璐高晓红孟冰付钰孙玉轩王森刘羽飞胡顶旺; 大学生创新创业训练计划项目(202010191082);吉林省教育厅项目(JJKH20200276KJ)。; 在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO_(2)衬底上生长IGZO薄膜作为有源层,并将其制备为薄膜晶体管器件.研究不同的沟道长度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.使用场发射扫描电子显微镜(SEM)表征IGZO薄膜的厚度,使用原子力显微...; 关键词：IGZO 薄膜晶体管磁控溅射沟道长度

探析AI“芯”时代下的智能摩尔之路: 《中国安防》2020年第12期49-53,共5页陈逍扬程进; 一、引言目前半导体器件的沟道长度接近到原子直径量级,经典物理规律开始受到量子效应的影响,"More Moore"的技术演进路线已经遭遇到物理极限,并且"More-Than-Moore"在功耗、散热和厚度等方面也受到限制。芯片的发展如果没有创新的模式...; 关键词：半导体器件沟道长度量子效应国家重点实验室数字多媒体物理定律物理极限经典物理

一种用于CMOS图像传感器的高速高精度低功耗LVDS驱动器设计被引量：2: 《西北工业大学学报》2020年第2期442-450,共9页李闯泽韩本光何杰吴龙胜; 国家重大科技专项(2017ZX01006101-001);陕西省教育厅科学研究计划(19JC029)资助。; 针对宇航超大面阵(15k×15k)CMOS图像传感器中读出链路后级对串行数据接口高速、高精度、低功耗以及驱动大容性负载的需求,提出了一种基于沟道长度分割的方法和预加重技术相结合的低压差分信号(low voltage differential signal,LVDS)...; 关键词：沟道长度分割低压差分信号预加重高速高精度低功耗

基于gm/Id的电路设计方法: 《电子世界》2019年第7期161-162,共2页黎涛何玉龙魏一方; gm/Id是基于查找表的设计方法,该方法是通过对实际晶体管进行建模和扫描,绘制出不同沟道长度下的gm/go-gm/Id、fT-gm/Id和Id/W-gm/Id曲线,在器件的其他参数确定后,通过查找表的方式确定器件的尺寸。通过此方法设计出的达到预期性能要求...; 关键词：设计电路沟道长度查找表器件晶体管尺寸性能

解读制程一场纳米级的博弈: 《新潮电子》2018年第7期112-120,共9页; 用来表述宽度的制程28nm、22nm、14nm、7nm……这些都是人们日常目睹的制程数值,如Inte“l久经沙场”的14nm制程和台积电、三星积极布局的7nm制程,都是终端消费市场经常讨论的话题。从技术角度看,半导体制程指的是场效应MOS管实际制造...; 关键词：半导体制程纳米级博弈解读沟道长度消费市场实际制造 MOS管

沟道长度对碳纳米管薄膜晶体管阈值电压的调控作用: 《真空科学与技术学报》2017年第8期821-825,共5页董国栋夏继业孟虎田博元黄奇赵杰毛德丰刘晓惠方家梁学磊; 根据碳纳米管薄膜晶体管特有的渗流输运机制,通过改变器件的沟道长度实现了对器件阈值电压的调控。与通常的晶体管阈值电压调控方法相比,该方法具有工艺简单且阈值电压调控范围大的优势。这种阈值调控方法不仅是对常规晶体管阈值调控方...; 关键词：碳纳米管薄膜晶体管阈值电压沟道长度

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