开关比

作品数：56被引量：70H指数：4
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基于准二维钙钛矿(GA)(MA)_(5)Pb_5I_(16)的阻变存储器光电性能研究
《河北师范大学学报(自然科学版)》2025年第3期270-275,共6页王文文 孟婕 韩金宝 尚子璇 吕梦溪 张倩茹 陈贞诺 尹鑫燃 赵晋津 
国家自然科学基金(U2130128);河北省自然科学基金-燕赵青年科学家专项(B2023205040);京津冀基础研究合作专项(H2022205047,22JCZXJC00060,E3B33911DF);河北省市场监管局科技计划(2023ZC03);河北省创新能力提升计划(22567604H);河北师范大学博士科研启动基金(L2023B18,L2024B12);大学生创新创业训练计划立项项目(S202410094046)。
以准二维(2D)钙钛矿(GA)(MA)_(5)Pb_(5)I_(16)(GA=胍,MA=甲胺)为阻变介质材料,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和氧化石墨烯(GO)为插层,制备了Ag/PMMA/(GA)(MA)_(5)Pb_(5)I_(16)/GO/ITO(ITO=锡掺杂氧化铟)阻变存储器.研究结果表明,加入PMMA和GO...
关键词：准二维钙钛矿 阻变存储器 界面调控 光电调控 开关比 
SiO_(2)提升ITO/HfO_(2)/SiO_(2)/Ag忆阻器的开关比和稳定性
《功能材料与器件学报》2025年第1期34-41,共8页徐辛 张宏 杨峰 张勇 
国家重点研发计划国家磁约束核聚变专项基金(2022YFE03020002)。
导电细丝生长及其熔断的随机性一直是影响忆阻器开关比和稳定性的关键因素。本研究通过磁控溅射在ITO基底上制备了以HfO_(2)/SiO_(2)异质结为功能层的ITO/HfO_(2)/SiO_(2)/Ag忆阻器。与单层HfO_(2)忆阻器相比,开关比约提升10倍,最大开...
关键词：忆阻器 倒锥型导电细丝 空间电荷限制电流 欧姆导电机制 异质结 
Cu/MgO/MoS_(2)/Cu结构的电阻开关特性
《物理学报》2025年第2期256-264,共9页何小龙 陈鹏 
采用磁控溅射的方法制备了Cu/MgO/Cu,Cu/MgO/MoS_(2)/Cu和Cu/MoS_(2)/MgO/Cu三种器件.通过对器件的表征测试及I-V曲线的测量,发现对于Cu/MgO/Cu器件,加入MoS_(2)插入层后,器件的电阻开关特性会发生大的变化.分析结果表明,MoS_(2)插入层...
关键词：电阻开关特性 界面势垒 开关比 
MAPbBr_(3)@ZIF-67的制备及光电性能研究
《光散射学报》2024年第2期148-154,共7页崔虹 张华芳 毛艳丽 
国家自然科学基金青年项目NSFC(11804079);国家自然科学基金面上项目NSFC(12174088)。
有机-无机杂化钙钛矿是一种重要的光电材料,广泛应用于光伏器件中,将其限域在MOFs中可以显著提高其稳定性,但是对其光电探测器性能的影响还不清楚。本文使用典型的MOFs材料ZIF-67对典型的钙钛矿材料MAPbBr_(3) 进行限域,制备了MAPbBr_(3...
关键词：MAPbBr_(3) ZIF-67 RAMAN光谱 光电探测器 开关比 
具有亚2-nm沟道长度的二维垂直p-n结二极管被引量：1
《Science China Materials》2023年第9期3637-3643,共7页王浩云 宋星宇 李东燕 李泽鑫 许翔 陈韵欣 刘鹏斌 周兴 翟天佑 
supported by the National Natural Science Foundation of China (52172144, 21825103, and U21A2069);the Ministry of Science and Technology of China (2021YFA1200500);the technical support from the Analytical and Testing Center at Huazhong University of Science and Technology。
尺寸极限微缩的p-n结二极管对互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展至关重要.然而,由于界面缺陷和短沟道效应,实现5 nm以下沟道长度的p-n结二极管仍然面临着巨大的挑战.本文展示了1.9 nm沟道的WSe_(2)/WS_(2)垂直p-n结二极管,实现...
关键词：沟道长度 肖特基势垒 短沟道效应 隧穿电流 开关比 集成电路 二极管 界面缺陷 
用于高功率密度光束控制的光寻址光阀研制被引量：1
《强激光与粒子束》2023年第4期130-136,共7页陈一波 沈浩 段佳著 乔冉 曾建成 李大鹏 李玥颖 骆永全 王海峰 沈志学 赵祥杰 张大勇 
为解决光寻址液晶光阀在高功率密度光束控制领域的应用限制,介绍一种可用于高功率密度激光系统的光寻址液晶光阀,该光阀开关比不低于140∶1,可在高于2300 W/cm^(2)的连续激光系统中正常工作。同时,所研制的光阀可在高重频吉瓦(GW)级功...
关键词：光寻址液晶光阀 光束控制 高功率密度 连续激光 高开关比 
基于退火效应硒化铅融合量子点制备及探测器性能研究
《自动化与仪器仪表》2023年第3期7-12,共6页张林松 刘蓉 刘欢 
National Natural Science Foundation of China(51902240);Key Research and Development Program of Shaanxi Province(2019ZDLGY16-01)。
硒化铅纳米结构材料因其多激子产生效应、快速光敏吸收和近红外发射而被广泛应用于太阳能电池和光电探测器,并成为探测器领域的研究热点。在制备硒化铅量子点的基础上,通过退火工艺得到了一种新型的纳米材料融合量子点。所需的最佳退火...
关键词：硒化铅融合量子点 退火工艺 开关比 响应度 
Al_(2)O_(3)/HfO_(2)薄膜多值阻变存储特性
《福州大学学报（自然科学版）》2022年第5期621-626,共6页陈浩 周海芳 赖云锋 
福建省自然科学基金资助项目(2019J01218);福建光电信息科学与技术创新实验室资助项目(2021ZR145)。
采用磁控溅射和金属剥离工艺制备结构为P-Si/HfO_(2)/Ti和P-Si/HfO_(2)/Al_(2)O_(3)/Ti的阻变存储器,两器件均表现出双极性电阻转变特性.插入的Al_(2)O_(3)层使得高阻态导电机制从空间电荷限制电流导电向肖特基发射控制导电转变,器件高...
关键词：阻变存储器 氧化铪 氧化铝 双介质层 开关比 多值存储 
P型SnO TFTs制备及其电学性能研究
《真空科学与技术学报》2022年第9期713-718,共6页龙玉洪 杨帆 王超 王艳杰 迟耀丹 杨小天 邓洋 
吉林省科技发展计划项目(20200201177JC);吉林省科技厅中央引导地方科研项目(202002012JC);吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20210256KJ,JJKH20210277KJ,JJKH20210276KJ)。
采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器...
关键词：直流磁控溅射 氧化亚锡(SnO) 薄膜晶体管 开关比 
基于多层二硒化钨的高性能场效应晶体管的实验优化和理论模拟被引量：2
《高等学校化学学报》2022年第6期166-176,共11页张义超 赵付来 王宇 王亚玲 沈永涛 冯奕钰 封伟 
国家自然科学基金(批准号:52103093,52173078,52130303);中国博士后科学基金(批准号:2021M702424)资助.
采用微机械剥离法制备了基于不同厚度的高质量WSe_(2)纳米片的场效应晶体管(WSe_(2)-FETs),研究了其性能的影响因素.通过调控WSe_(2)纳米片及介电层的厚度、测试温度及退火处理等,结合理论模拟分析,获得了WSe_(2)-FETs的最佳电学性能.最...
关键词：微机械剥离法 二维材料 二维过渡金属硫族化合物 载流子迁移率 开关比 
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