隧穿电流

作品数：50被引量：68H指数：4
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一种全尺寸MOS晶体管的俘获隧穿电流优化模型
《中国集成电路》2024年第1期46-50,共5页张瑜 
针对当前的俘获隧穿电流模型中,对于不同器件尺寸只有统一的参数进行模型拟合,存在无法针对器件尺寸变化进行准确地模型拟合的问题。本文提出了在俘获隧穿电流模型的参数中,添加与器件全尺寸信息相关的方法,包括器件宽度方向,长度方向...
关键词：MOS晶体管 俘获隧穿电流 全尺寸 SPICE模型 
基于量子力学效应的多子带MOS器件修正系统
《自动化与仪器仪表》2023年第10期214-217,222,共5页张雷 曹欣伟 
陕西省教育厅自然科学项目(22JK0534)。
对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与...
关键词：MOS器件 隧穿电流 量子力学效应 栅介质材料 
具有亚2-nm沟道长度的二维垂直p-n结二极管被引量：1
《Science China Materials》2023年第9期3637-3643,共7页王浩云 宋星宇 李东燕 李泽鑫 许翔 陈韵欣 刘鹏斌 周兴 翟天佑 
supported by the National Natural Science Foundation of China (52172144, 21825103, and U21A2069);the Ministry of Science and Technology of China (2021YFA1200500);the technical support from the Analytical and Testing Center at Huazhong University of Science and Technology。
尺寸极限微缩的p-n结二极管对互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展至关重要.然而,由于界面缺陷和短沟道效应,实现5 nm以下沟道长度的p-n结二极管仍然面临着巨大的挑战.本文展示了1.9 nm沟道的WSe_(2)/WS_(2)垂直p-n结二极管,实现...
关键词：沟道长度 肖特基势垒 短沟道效应 隧穿电流 开关比 集成电路 二极管 界面缺陷 
势垒可调的氧化镓肖特基二极管被引量：2
《物理学报》2022年第3期292-298,共7页汪海波 万丽娟 樊敏 杨金 鲁世斌 张忠祥 
安徽省高校自然科学基金(批准号:KJ2019A0714,KJ2020A0091);电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室开放基金(批准号:2019ZDSYSZB02,2020PTZD06);大学生创新创业教育训练计划(批准号:201814098030,201914098094)资助的课题。
氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n^(+)高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×10^(18)cm^(–3)时,肖特基二极管纵向电流密度高达496....
关键词：氧化镓 肖特基二极管 有效势垒 隧穿电流 
菲涅耳透镜下多结电池表面局部高辐射功率对短路电流的影响
《半导体光电》2020年第4期494-499,504,共7页江景祥 舒碧芬 梁齐兵 黄妍 崔高峻 喻祖康 
国家自然科学基金项目(U1707603);广东省自然科学基金重点项目(2014A030311050)。
为探索以菲涅耳透镜为聚光器的聚光光伏模组中,多结电池中心局部高辐射功率对短路电流的影响,测量菲涅耳透镜的高亮度光斑直径,并据此分别测试室内不同局部光照面积下和户外不同尺寸透镜下的GaInP/GaInAs/Ge三结电池的短路电流,利用电...
关键词：聚光光伏模组 菲涅耳透镜 多结电池 局部高辐射功率 短路电流 峰值隧穿电流 
钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响被引量：1
《半导体技术》2019年第6期438-443,共6页李海鸥 李玺 李跃 刘英博 孙堂友 李琦 李陈成 陈永和 
国家自然科学基金资助项目(61764001;61474031;61874036;61805053);广西自然科学基金重点基金资助项目(2016GXNSFDA380021);广西教育厅科研项目(2018KY0193);广西创新研究团队项目(2018JJF170001);广西精密导航技术与应用重点实验室资助项目(DH201801;DH201808;DH201702;DH201701);桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2018YJCXB15;2018YJCX25)
制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到...
关键词：氮等离子体钝化 硫钝化 界面态密度 边界陷阱密度 隧穿电流 
肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析
《半导体光电》2017年第4期536-540,共5页雷勇 饶伟锋 苏静 杨翠红 
国家自然科学基金项目(51472123);江苏特聘教授基金项目;江苏省自然科学基金项目(BK20131428)
运用数值计算方法分析了肖特基势垒反向隧穿电流的场发射(FE)、热场发射(TFE)以及基于WKB近似的积分计算模型等三种模型之间的关系,阐述了场发射与热场发射模型的不足。通过分析积分计算模型的数值计算结果,探讨了肖特基势垒反向隧穿电...
关键词：隧穿效应 肖特基势垒 热场发射 场发射 反向漏电流 
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响被引量：2
《物理学报》2017年第7期361-369,共9页郝敏如 胡辉勇 廖晨光 王斌 赵小红 康海燕 苏汉 张鹤鸣 
国家自然科学基金(批准号:61474085);陕西省科技计划项目(批准号:2016GY-085)资助的课题~~
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照...
关键词：单轴应变Si 纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量 栅隧穿电流 
隧穿电流影响下的小尺寸电路设计
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2014年第6期901-904,907,共5页吴铁峰 赵智超 王安 丁晓迪 
黑龙江省教育厅科学技术研究项目(12523055)
对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型器件性能的影响,利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET...
关键词：应变硅 栅隧穿电流 预测模型 推挽电路 
发光二极管的反偏电容和电导特性研究被引量：2
《光电子．激光》2014年第4期648-652,共5页程星福 刘显明 陈伟民 赖伟 雷小华 
国家“863”计划(2013AA03A118);重庆市自然科学基金(CSTC2011BA7023);中国博士后科学基金资助项目
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随...
关键词：发光二极管(I ED) 反偏电容 反偏电导 隧穿电流 
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