栅介质材料

作品数：14被引量：33H指数：4
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司西安电子科技大学南京大学中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
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基于六硼化镧栅介质材料的增强型氢终端金刚石场效应晶体管
《超硬材料工程》2025年第1期1-11,共11页牛田林 王玮 梁月松 方培杨 冯永昌 陈根强 王艳丰 张明辉 王宏兴 
科技部重点研发计划(2022YFB3608601,2021YFB3602100);国家自然科学基金(U21A2073,62304173,62304175,61804122,62074127);陕西省自然科学基金(2021GY-223,2023-JC-QN-0718,No.2023-JC-QN-0694);中国博士后科学基金(2022M712516,2020M683485)。
金刚石半导体逻辑电路的发展,离不开性能优秀的增强型器件。六硼化镧(LaB_(6))作为氢终端金刚石场效应管(FET)的栅介质材料有望通过其较低的功函数,与氢终端金刚石表面接触产生高肖特基势垒将沟道空穴耗尽,实现常关特性。以LaB_(6)为栅...
关键词：金刚石 场效应晶体管 低功函数 氢终端 
4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展
《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅 宋立辉 杨德仁 皮孝东 
浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...
关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料 堆栈栅介质 界面特性 电学性能 
基于量子力学效应的多子带MOS器件修正系统
《自动化与仪器仪表》2023年第10期214-217,222,共5页张雷 曹欣伟 
陕西省教育厅自然科学项目(22JK0534)。
对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与...
关键词：MOS器件 隧穿电流 量子力学效应 栅介质材料 
栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究被引量：1
《南京大学学报（自然科学版）》2019年第5期740-749,共10页裴智慧 秦国轩 
国家自然科学基金(61871285);天津市自然科学基金(18JCYBJC15900)
系统地对基于高介电常数材料HfO2和传统的介质材料SiO2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的薄膜晶体管的工作特性进行了研究.获得了不同沟道长度和沟道宽度,不同栅介质层厚度和不同温度条件下的薄...
关键词：薄膜晶体管 高介电常数 栅介质材料 栅介质尺寸 
新一代CMOS器件栅介质材料研究进展
《井冈山大学学报（自然科学版）》2011年第5期76-81,共6页郭鸣 周松华 刘昌鑫 
江西省教育厅科技项目(GJJ11181;GJJ08417);井冈山大学博士科研启动基金项目;华东师范大学优秀博士研究生培养基金(20080051)
随着微电子技术的飞速发展,按照摩尔定律发展的要求,SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势。文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料...
关键词：高介电常数 栅介质 等效氧化层厚度 漏电流 
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量：3
《物理学报》2011年第1期811-822,共12页郑晓虎 黄安平 杨智超 肖志松 王玫 程国安 
国家自然科学基金(批准号:50802005;11074020);教育部新世纪优秀人才基金(NCET-08-0035);教育部博士点基金(批准号:200800061055)资助的课题~~
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷...
关键词：Hf基高k栅介质 稀土掺杂 氧空位缺陷 有效功函数 
高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)被引量：1
《功能材料与器件学报》2009年第1期71-74,共4页武德起 姚金城 赵红生 张东炎 常爱民 李锋 周阳 
National Natural Science Foundation of China(No.50372083);the Knowledge Innovation Program of the Chinese A-cademy of Sciences(No.072C201301);the graduate student innovation program of the Chinese academy of sciences
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄...
关键词：高介电栅介质材料 激光分子束外延 二氧化铪 
高介电栅介质材料研究进展被引量：6
《无机材料学报》2008年第5期865-871,共7页武德起 赵红生 姚金城 张东炎 常爱民 
国家自然科学基金(50372083);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(072C201301)
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介...
关键词：高介电栅介质 晶化温度 低介电界面层 金属栅电极 
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：9
《材料导报》2007年第1期22-26,共5页田书凤 彭英才 范志东 张弘 
河北省自然科学基金(编号:503125)资助项目
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐...
关键词：高介电常数 HFO2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性 
新一代栅介质材料——高K材料被引量：5
《材料导报》2006年第2期17-20,25,共5页李驰平 王波 宋雪梅 严辉 
北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011);北京市优秀人才培养专项经费资助项目(20041D0501513);北京市"中青年骨干教师培养计划"项目
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解...
关键词：高K材料 SiO2栅介质减薄 等效SiO2厚度 介质材料 高介电常数材料 一代 发展趋势 微电子工业 CMOS SIO2 
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