MOS器件

作品数：342被引量：372H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张兴韩郑生黄如张波罗家俊更多>>
相关机构：上海华虹宏力半导体制造有限公司西安电子科技大学北京大学电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
钝化层结构对EBCMOS噪声特性的影响
《中国激光》2025年第1期205-213,共9页何欣悦 焦岗成 程宏昌 杨展 李野 宋德 陈卫军 
国家自然科学基金(U2141239,12274041)。
为获得高信噪比的电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件,基于微光成像和半导体理论构建了EBCMOS的信噪比理论计算模型。用像素内信噪比(SNR)、像素内总噪声电子数(N_(pixel))、像素内倍增电子数(N_(M))和单位像素内暗电流电子数(N_(dark))等...
关键词：微光成像 EBCMOS器件 信噪比 暗电流 钝化层 界面态密度 
一种40 V NLDMOS器件热载流子寿命研究
《微电子学与计算机》2024年第9期126-134,共9页鹿祥宾 单书珊 余山 刘芳 钟明琛 邵亚利 
国家电网有限公司科技项目(5500-202156469A-0-5-ZN)。
为了更精确预测基于0.18μm工艺的40 V NLDMOS器件实际应用条件下的热载流子寿命,介绍了一种通过可靠性测试和计算机辅助数学解析相结合的热载流子可靠性寿命预计方法。该方法基于实际直流状态下的热载流注入测试数据,结合TCAD仿真,对...
关键词：40 V NLDMOS 热载流子注入 可靠性 交直流转换因子 寿命预计 Kirk效应 
电磁干扰环境MOS器件可靠性表征方法研究
《集成电路与嵌入式系统》2024年第8期29-34,共6页朱亚星 赵东艳 陈燕宁 刘芳 吴波 王凯 郁文 王柏清 宋斌斌 连亚军 
北京智芯微电子科技有限公司项目—面向BCD工艺核心器件可靠性仿真方法研究。
工业芯片MOS器件的可靠性表征通常基于恒压应力或梯度应力方法对器件进行加速实验测试,根据测试结果对器件进行寿命评估。由于加速实验测试条件较为单一,难以覆盖工业芯片常见电磁干扰应用环境,MOS器件实际应用场景退化程度不能根据此...
关键词：电磁干扰 MOS器件 TCAD仿真 可靠性理论 
NLDMOS器件单粒子效应及Nbuffer加固被引量：2
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期13-18,共6页杨强 葛超洋 李燕妃 谢儒彬 洪根深 
提出了一种漂移区具有Nbuffer结构的N型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)结构,以提高器件抗单粒子烧毁(single-event burnout,SEB)能力。通过TCAD仿真验证了该结构的电学和抗单粒子特征。在不改变器件性能的前提下,18 V NLDMOS SEB触...
关键词：LDMOS 单粒子烧毁 Nbuffer 抗辐射加固 TCAD 
MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
《辽宁大学学报（自然科学版）》2024年第1期24-32,共9页吕品 白永臣 邱巍 
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面...
关键词：Hf基高k材料 栅介质 MOS器件 介电常数 
功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述被引量：1
《微电子学》2023年第6期957-964,共8页罗萍 吴昱操 范佳航 张致远 冯皆凯 赵忠 
重庆市自然科学基金资助项目(CSTB2023NSCQMSX0153)
总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时...
关键词：总剂量辐射加固 环栅MOS器件 环栅功率MOS 等效W/L建模 环栅器件建库 
基于量子力学效应的多子带MOS器件修正系统
《自动化与仪器仪表》2023年第10期214-217,222,共5页张雷 曹欣伟 
陕西省教育厅自然科学项目(22JK0534)。
对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与...
关键词：MOS器件 隧穿电流 量子力学效应 栅介质材料 
辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响被引量：3
《电子与封装》2022年第7期64-68,共5页陶伟 刘国柱 宋思德 魏轶聃 赵伟 
国家自然科学基金面上项目(62174150);江苏省自然科学基金面上项目(BK20211040)。
基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS...
关键词：总剂量辐射电离 阈值电压 ^(60)Co X射线 
HfO_(2)/SiO_(2)-Si型MOS器件陷阱电荷的γ辐照效应及退火效应
《现代应用物理》2022年第2期129-136,共8页姜文翔 张修瑜 王佳良 崔博 孟宪福 于晓飞 李嫚 石建敏 薛建明 王新炜 
科学挑战计划资助项目(TZ-2018004)。
基于γ辐照和退火过程的电容电压和电导电压曲线,分析了氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷的变化规律,研究了HfO_(2)/SiO_(2)-Si结构MOS器件的^(60) Coγ辐照及退火效应。研究结果表明:当辐照剂量为500 Gy时,氧化层陷阱电荷以俘获负电荷为主...
关键词：辐照效应 退火效应 MOS器件 氧化层陷阱电荷 界面陷阱电荷 
MOS静态参数性能研究综合实验的设计与实践
《吉林大学学报（信息科学版）》2021年第6期695-699,共5页贺媛 牛立刚 李昕 纪永成 马健 王蕊 
吉林大学实验技术项目基金资助项目(409020720089)。
以加深学生对半导体器件性能知识的理解和掌握为目的,设计并开发了适用于本科实验教学的"MOS(Matal-Oxide-Semiconductor)静态参数性能研究"综合实验项目及性能测试仪。该测试仪可以分项也可组合测量多项参数,不仅有利于加深学生对器件...
关键词：微电子 半导体器件 MOS器件 静态参数 
全选清除导出
共34页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部