云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 栅介质

栅介质: 作品数：268被引量：261H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃徐秋霞刘红侠张波黄如更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司北京大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

基于六硼化镧栅介质材料的增强型氢终端金刚石场效应晶体管: 《超硬材料工程》2025年第1期1-11,共11页牛田林王玮梁月松方培杨冯永昌陈根强王艳丰张明辉王宏兴; 科技部重点研发计划(2022YFB3608601,2021YFB3602100);国家自然科学基金(U21A2073,62304173,62304175,61804122,62074127);陕西省自然科学基金(2021GY-223,2023-JC-QN-0718,No.2023-JC-QN-0694);中国博士后科学基金(2022M712516,2020M683485)。; 金刚石半导体逻辑电路的发展,离不开性能优秀的增强型器件。六硼化镧(LaB_(6))作为氢终端金刚石场效应管(FET)的栅介质材料有望通过其较低的功函数,与氢终端金刚石表面接触产生高肖特基势垒将沟道空穴耗尽,实现常关特性。以LaB_(6)为栅...; 关键词：金刚石场效应晶体管低功函数氢终端

不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质金刚石MOSFET器件研究: 《固体电子学研究与进展》2024年第6期552-555,602,共5页谯兵郁鑫鑫何适陶然李忠辉陈堂胜; 采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)技术,在(001)晶面的单晶金刚石衬底上制备了不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石MOSFET器件。在200℃下沉积Al_(2)O_(3)栅介质的器件的饱和电流密度为291 mA/mm,当沉积温度升高至...; 关键词：金刚石原子层沉积氧化铝温度

4H-SiC基功率器件的high-k栅介质材料研究进展: 《人工晶体学报》2024年第12期2027-2042,共16页刘帅宋立辉杨德仁皮孝东; 浙江大学杭州国际科创中心人才专项(02010600-K02013005)。; 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为碳化硅绝缘栅结构的典型器件被广泛使用,然而SiO_(2)介电常数低的缺点和SiO_(2)/4H-SiC界面特性差的问题一直制约着4H-SiC绝缘栅结构(金属-绝缘体-半导体,MIS)器件更大规模商业化应用,因此科...; 关键词：4H-SiC MOS电容器 high-k栅介质材料堆栈栅介质界面特性电学性能

高k栅介质的TDDB效应: 《安徽大学学报（自然科学版）》2024年第5期52-56,共5页任康贡佳伟丁俊贤王磊李广; 安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16);安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。; 半导体工艺进入45 nm以后,使用高k栅介质HfO_(2)代替传统的SiO_(2),解决了因栅氧化层变薄而引起的栅极漏电流过大的问题.经时击穿(time dependent dielectric breakdown,简称TDDB)效应的寿命时间是衡量栅氧化层质量的重要因素,然而高k...; 关键词：高k 栅介质经时击穿效应栅氧化层 HfO_(2)

混合金属离子的蛋清电解质门控ITO薄膜晶体管: 《半导体技术》2024年第9期794-799,共6页刘畅郭立强王伟琳蔡英杰李文龙孟艳芳; 绿色环保生物兼容性电子器件在其鲁棒计算、高效学习及可持续性方面受到了广泛关注。采用绿色环保生物材料鸡蛋清作为双电层薄膜晶体管的栅介质层,通过旋涂、磁控溅射工艺制备蛋清薄膜晶体管并进行电学测试。测试结果显示,器件表现出了...; 关键词：蛋清栅介质双电层晶体管电学特性突触可塑性掺杂

上海微系统所开发出面向新型芯片的绝缘材料: 《传感器世界》2024年第8期50-50,共1页; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。2024年8月7日,相关研究成果以Single-crystalline metal-oxide dielectrics for topgate 2D transistors...; 关键词：栅介质中国科学院集成电路绝缘材料信息技术新型芯片晶圆

原子层沉积法制备鸡蛋清栅介质ZnO-TFT及其性能研究: 《电子器件》2024年第3期865-869,共5页王聪黄荷刘玉荣彭强; 广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)项目(2020ZDZX3125);国家自然科学基金项目(61871195);广东省基础与应用基础研究基金项目(2021A1515011872)。; 采用原子层沉积法(ALD),以天然鸡蛋清作为栅介质制备双电层氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),并对其电性能进行测试与分析,研究了该器件在栅偏压应力条件下和空气环境下电学性能的稳定性。结果表明,氧化锌薄膜晶体管电特性表现良好,阈值电压为...; 关键词：氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性双电层原子层沉积

超薄锡掺杂氧化镓结合高k栅介质:硅基兼容的4英寸功率场效应晶体管阵列: 《Science Bulletin》2024年第12期1848-1851,共4页刘子淳李佳诚杨惠霞杨涵黄元张逸韵黎沛涛马远骁王业亮; supported by the National Key R&D Program of China(2023YFB3611700);the National Natural Science Foundation of China(92163206,62101044,12321004)。; Gallium oxide(Ga_(2)O_(3)),a novel ultrawide-bandgap(UWBG)semiconductor,has attracted considerable attention owing to its large bandgap of up to 4.9 eV,a high breakdown electric field of 8 MV/cm,and a high Baliga's fi...; 关键词：功率场效应晶体管高K栅介质氧化镓

MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述: 《辽宁大学学报（自然科学版）》2024年第1期24-32,共9页吕品白永臣邱巍; 随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面...; 关键词：Hf基高k材料栅介质 MOS器件介电常数

高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2024年第1期6-12,共7页王韬张黎莉段鑫沛殷亚楠周昕杰; 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线...; 关键词：氧化镓单粒子栅穿 TCAD仿真 VDMOS器件

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