高介电常数

作品数：255被引量：573H指数：13
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面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
工艺参数对高介电常数微波铁氧体材料铁磁共振线宽的影响
《磁性材料及器件》2025年第2期37-41,共5页鲜聪 孔伟 王殿杰 谢斌 陈建杰 杨菲 王斌 
采用传统固相反应法制备高介电常数微波铁氧体材料,考察了分散剂添加、成型尺寸、厚度和压力,烧结样品保温时长、摆放位置和磨料的种类粒度等对材料铁磁共振线宽的影响,结果发现,添加分散剂和过大过厚的生坯不利于降低材料的铁磁共振线...
关键词：高介电常数 微波铁氧体材料 铁磁共振线宽 工艺参数 
Mn_(3)O_(4)掺杂抗还原X7R纳米BaTiO_(3)基陶瓷的性能研究
《功能材料》2025年第3期3013-3018,共6页肖蝉吟 迟尚超 刘叔承 张树人 唐斌 
国家自然科学基金(62171080)。
采用传统固相合成法制备了BaTiO_(3)-SrCO_(3)-MgCO_(3)-xMn_(3)O_(4)-Dy_(2)O_(3)-ZrO_(2)-SiO_(2)(x=0~0.2%(摩尔分数))陶瓷,在1%H_(2)-99%N_(2)混合还原气氛中进行烧结,烧结温度为1320℃。研究了Mn_(3)O_(4)掺杂对纳米BaTiO_(3)基陶...
关键词：纳米钛酸钡 抗还原 高介电常数 温度稳定性 
具有高K背栅的无电压回跳RC-IGBT静态特性研究
《现代电子技术》2025年第4期34-39,共6页王楠 徐勇根 胡夏融 
针对传统RC-IGBT导通压降大、击穿电压低等问题,提出一种具有高介电常数(高K)背栅的RC-IGBT器件结构,其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度,不仅消除了电压回跳,还降低了导...
关键词：RC-IGBT 电压回跳 高介电常数 背栅 导通压降 阻断特性 
三元共聚高介电性能聚酰亚胺的制备与性能研究
《华南理工大学学报(自然科学版)》2025年第1期92-100,共9页曹贤武 姚志强 黄其隆 曾佩佩 赵婉婧 
国家自然科学基金项目(52173035)。
目前,能源领域不断发展,对电容器要求不断提高,兼具高温性能和高储能的电容器已成为研究热点。其中高储能密度即要求其具备高介电常数和低介电损耗。特种工程材料聚酰亚胺(PI)因其耐高温性能而备受人们青睐,但其较低储能密度制约其应用...
关键词：聚酰亚胺 三元共聚 高介电常数 低介电损耗 
柔性氧化物薄膜晶体管栅绝缘层的研究进展被引量：1
《材料导报》2024年第23期20-28,共9页谭海星 林剑荣 黄培源 彭憬怡 刘思 陈建文 徐华 肖鹏 
广东省科技计划项目(2022A0505020022);粤港澳智能微纳光电技术联合实验室资助项目(2020B1212030010);国家自然科学基金(61804029)。
柔性氧化物薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)因具有迁移率高、电流开关比大、器件均一性好、柔韧性好和轻薄等优点而备受业界关注,广泛应用于柔性有机发光二极管(OLED)显示、柔性传感、仿生突触等领域。其中,栅绝缘层对柔性氧化物...
关键词：柔性 薄膜晶体管 栅绝缘层 高介电常数 
高介电常数材料垫提高7.0 T MRI小脑成像效果的性能研究
《磁共振成像》2024年第12期60-64,86,共6页甄志铭 易小琦 张孝通 陈炜 王健 刘晨 
重庆市中青年医学高端人才工作室项目(编号:524Z28921);重庆市中青年医学高端人才项目(编号:514Z395);国家自然科学基金项目(编号:82071910)。
目的评估Ba Ti O3/Ca Ti O3制备的高介电常数(high dielectric constant,HDC)材料对7.0 T MRI小脑成像的改善效能。材料与方法使用7.0 T MRI对10例受试者进行扫描,首先将HDC垫放在受试者枕后进行射频场场图(B1 map)、T2加权成像快速自...
关键词：高介电材料 小脑 超高场强 信噪比 介电伪影 磁共振成像 图像质量 
基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用
《化工生产与技术》2024年第5期12-16,42,共6页贺辉龙 王海 张学良 张洪礼 赵晓亚 张晓东 贝宏 
叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high...
关键词：高介电常数材料 原子层沉积 动态随机存取存储器 进展 
Dy_(2)O_(3)掺杂抗还原纳米BaTiO_(3)基陶瓷性能研究
《电子元件与材料》2024年第10期1221-1226,共6页罗世勇 赵俊斌 蓝小林 周沫轲 唐斌 
广东省促进经济高质量发展专项基金(粤工信电子函[2020]218号)。
采用传统固相合成法制备了BaTiO_(3)-SrCO_(3)-MgCO_(3)-Mn_(3)O_(4-x)Dy_(2)O_(3)-ZrO_(2)-SiO_(2)陶瓷,其中x的取值范围为摩尔分数0~0.8%。该系列陶瓷以1320℃的温度在1%H_(2)+99%N_(2)混合还原气氛中烧结。系统研究了Dy_(2)O_(3)掺...
关键词：纳米钛酸钡 抗还原 Dy_(2)O_(3) 高介电常数 温度稳定性 
28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
《半导体技术》2024年第9期838-843,共6页方精训 姜兰 
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe...
关键词：镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG) 
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