动态随机存取存储器

作品数：59被引量：24H指数：3
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三星电子改进半导体存储器设计
《电子产品可靠性与环境试验》2025年第1期73-73,共1页薛严 
据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是...
关键词：半导体存储器 动态随机存取存储器 三星电子 显卡 半导体行业 量产 
基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用
《化工生产与技术》2024年第5期12-16,42,共6页贺辉龙 王海 张学良 张洪礼 赵晓亚 张晓东 贝宏 
叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high...
关键词：高介电常数材料 原子层沉积 动态随机存取存储器 进展 
ISMB:多核系统中利用Bank分区实现共享库隔离
《计算机技术与发展》2023年第2期17-23,共7页杨虎斌 李嘉翔 陈玉聪 刘刚 张红涛 周睿 周庆国 
国家重点研发计划资助(2020YFC0832500);兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金资助(lzujbky-2022-kb12);国家自然科学基金(61402210)。
动态随机存取存储器DRAM一直以来以其低功耗、高性价比和良好的扩展性等优点作为计算机内存的最佳选择。为了提高内存的访问速度,DRAM中的每个Bank都有一个行缓冲区,它可以有效地提升局部性良好的应用程序的性能。然而在多核系统中,DRA...
关键词：共享库 Bank分区 隔离 动态随机存取存储器 Bank行缓冲区冲突 
人工智能计算进入存储芯片
《科技纵览》2022年第1期38-39,共2页Samuel K.Moore 
约翰·冯·诺依曼她计算机架构(逻辑和内存是两个独立的领域)一直很受欢迎,但一些公司认为是时候做出改变了。近年来,向更多并行处理的转变和神经网络规模的大幅扩大意味着,处理器需要以更快的速度访问内存中的更多数据。然而,“动态随...
关键词：存储芯片 冯·诺依曼 人工智能 并行处理 神经网络 韩国科学技术院 DRAM 动态随机存取存储器 
超高带宽的动态随机存储器
《光学精密机械》2021年第4期28-28,共1页
韩国SK海力士日前宣布,该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器(DRAM)每秒能够处理819GB的数据,内置ECC校检。该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB产品中,单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm,使用...
关键词：动态随机存储器 DRAM 最大容量 动态随机存取存储器 HBM ECC 海力士 
1x nm DRAM电容孔刻蚀工艺研究被引量：1
《微纳电子与智能制造》2021年第4期92-102,共11页侯剑秋 于新新 孙玉乐 周娅 李振兴 鲍锡飞 张泳富 胡增文 
电容(储存单元)是DRAM(动态随机存取存储器)非常关键的结构。由于高深宽比电容孔刻蚀的限制,随着器件尺寸越来越小,同时实现足够的电容值、最小化存储单元之间的漏电和最大化存储阵列密度变得越来越具有挑战性。为了构建小尺寸和笔直剖...
关键词：动态随机存取存储器 器件电容结构 电容耦合式等离子体刻蚀 高深宽比刻蚀 介质刻蚀 
外部高速缓存与非易失内存结合的混合内存体系结构特性评测被引量：1
《高技术通讯》2021年第5期464-478,共15页潘海洋 刘宇航 卢天越 陈明宇 
国家自然科学基金面上项目(61772497);国家重点研发计划(2017YFB1001600)资助项目。
以非易失性存储器(NVM)作为主存且以动态随机存取存储器(DRAM)作为片外高速缓存(EC),是一种可以满足大数据应用内存容量需求的新型混合内存结构(ECNVM)。该结构同时具有NVM的大存储容量和DRAM的低存取延迟的优点。传统的结构是以片内SRA...
关键词：非易失内存(NVM) 动态随机存取存储器(DRAM)高速缓存 大数据应用 
中国“芯”税力量
《中国税务》2020年第10期22-25,共4页许蒙亚 郑瑞娟 
2020年5月,合肥长鑫存储技术有限公司(以下简称"长鑫存储")自主研发的DDR4内存芯片产品正式在官方网站上线售卖,实现了中国企业在动态随机存取存储器(DRAM)市场从0到1的突破,打破了长期以来三星电子、SK海力士和美光科技(MU)三家寡头企...
关键词：内存芯片 DRAM 三星电子 存储技术 官方网站 动态随机存取存储器 海力士 自主研发 
漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别
《中国电子商情》2020年第5期40-43,共4页Tae Yeon Oh 
从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。
关键词：DRAM 寄生电容 漏电流 故障识别 结构异常 动态随机存取存储器 器件设计 考虑因素 
动态随机存储器的故障溯源
《软件和集成电路》2020年第4期60-63,共4页Tae Yeon Oh 
多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主...
关键词：动态随机存储器 寄生电容 DRAM 工艺变化 漏电流 动态随机存取存储器 结构异常 器件设计 
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