云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- DRAM

DRAM: 作品数：1048被引量：286H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>; 相关作者：章铁飞刘莹方振贤陈明宇林殷茵更多>>; 相关机构：西安紫光国芯半导体有限公司中国科学院微电子研究所美光科技公司英特尔公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>

基于循环神经网络的多模态数据层次化缓存系统设计: 《现代电子技术》2025年第4期52-56,共5页张燕; 国家自然科学基金项目(41561100);新疆师范大学新疆维吾尔自治区“十四五”重点学科招标课题(23XJKD0202);新疆师范大学教改项目(SDJG2022-14);教育部产学研项目(220605350203448)。; 为提升对多模态数据的管理效果,提高数据访问速度并减轻数据库负载,设计一种基于循环神经网络的多模态数据层次化缓存系统。在DRAM/NVM混合内存模块中,利用DRAM完成主存NVM的缓存。当DRAM存在缓存缺失时,利用访问监控模块内置高速采集...; 关键词：多模态数据层次化缓存循环神经网络长短期记忆(LSTM)网络 DRAM NVM 访问频率

前沿科技: 《今日科技》2025年第2期42-43,共2页; 人工智能科创高地英伟达公布采用硅光子学的未来AI加速器设计据《科创板日报》报道,在IEDM2024会议上,英伟达提出了采用多模块GPU设计、垂直堆叠DRAM内存、集成硅光子(输入/输出)I/O器件的“新型AI加速器”设想,可实现更高计算效率。; 关键词：输入/输出人工智能 I/O 多模块前沿科技 GPU DRAM AI

美国扩展先进DRAM芯片生产: 《中国战略新兴产业》2025年第1期90-90,共1页无; 美国商务部宣布向美光科技提供高达61.65亿美元的直接资金,用于在爱达荷州和纽约州扩展先进DRAM芯片生产,以增强国内供应链和经济韧性。此外,商务部还与美光科技签署了一项初步备忘录,计划提供2.75亿美元资金以扩展和现代化其在弗吉尼...; 关键词：弗吉尼亚州 DRAM 芯片生产工作岗位供应链爱达荷州纽约州资本支出

DRAM研究现状与发展方向: 《电子技术应用》2024年第12期21-30,共10页牛君怡孙锴; 国家自然科学基金面上项目(62374173)。; 动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。...; 关键词：DRAM 无电容存储单元 3D DRAM Rowhammer 2T0C DRAM

P3DC:Reducing DRAM Cache Hit Latency by Hybrid Mappings: 《Journal of Computer Science & Technology》2024年第6期1341-1360,共20页Ye Chi Ren-Tong Guo Xiao-Fei Liao Hai-Kun Liu Jianhui Yue; supported jointly by the National Key Research and Development Program of China under Grant No.2022YFB4500303;the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos.62072198,61825202,and 61929103.; Die-stacked dynamic random access memory(DRAM)caches are increasingly advocated to bridge the performance gap between the on-chip cache and the main memory.To fully realize their potential,it is essential to improve D...; 关键词：die-stacked dynamic random access memory(DRAM) CACHE set-associative direct-mapped hit latency

基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用: 《化工生产与技术》2024年第5期12-16,42,共6页贺辉龙王海张学良张洪礼赵晓亚张晓东贝宏; 叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high...; 关键词：高介电常数材料原子层沉积动态随机存取存储器进展

SSA-over-array(SSoA):A stacked DRAM architecture for nearmemory computing: 《Journal of Semiconductors》2024年第10期42-53,共12页Xiping Jiang Fujun Bai Song Wang Yixin Guo Fengguo Zuo Wenwu Xiao Yubing Wang Jianguo Yang Ming Liu; supported in part by the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences under Grant No.XDB44000000。; Aiming to enhance the bandwidth in near-memory computing,this paper proposes a SSA-over-array(SSoA)architecture.By relocating the secondary sense amplifier(SSA)from dynamic random access memory(DRAM)to the logic die a...; 关键词：near-memory vertical stacking SSA bandwidth density

嵌入式系统中的内生存储器PUF研究综述: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第9期7-16,共10页陈帅蔡敏杨志勇曾集丰; 物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)可视为一种“芯片指纹”,具有轻量级、不可预测、难以克隆等特性,已经成为物联网硬件安全机制的重要组成部分。然而,传统PUF的实现需要在硬件层面增加FPGA或专用集成电路,会增加硬...; 关键词：PUF SRAM DRAM FLASH

High performance 2T0C DRAM cells based on atomic-layer-deposited InAlZnO FETs: 《Science China(Information Sciences)》2024年第9期340-341,共2页Wen XIONG Binbin LUO Wei MENG Bao ZHU Xiaohan WU Shi-Jin DING; supported by National Natural Science Foundation of China(Grant No.61874029)。; Recently,the oxide semiconductor-based 2T0C dynamic random-access memory(DRAM)has shown great potential in monolithic three-dimensional(M3D)-integrated memory,owing to some unique advantages of oxide semiconductors,su...; 关键词：MONOLITHIC DRAM compatibility

HeterMM: applying in-DRAM index to heterogeneous memory-based key-value stores: 《Frontiers of Computer Science》2024年第4期215-217,共3页Yunhong JI Wentao HUANG Xuan ZHOU; grant funded by the Ministry of Education(Singapore)(Title:inPMdb:An in-Persistent Memory Database System,WBS NO:A8000082-00-00);Shanghai Engineering Research Center of Big Data Management.; 1 Introduction Emerging byte-addressable storage technologies,such as NVM(Non-Volatile Memory),provide a more cost-effective and larger-capacity alternative to DRAM(Dynamic Random Access Memory)[1],presenting new oppo...; 关键词：STORES APPLYING value

DRAM