基于原子层沉积的高介电常数材料在DRAM中的应用  

Application of High Dielectric Constant Materials Based on Atomic Layer Deposition in DRAM

作　　者：贺辉龙 王海 张学良 张洪礼 赵晓亚 张晓东 贝宏 HE Huilong;WANG Hai;ZHANG Xueliang;ZHANG Hongli;ZHAO Xiaoya;ZHANG Xiaodong;BEI Hong

机构地区：[1]中巨芯科技股份有限公司,浙江衢州324004 [2]浙江凯圣氟化学有限公司,浙江衢州324004

出　　处：《化工生产与技术》2024年第5期12-16,42,共6页Chemical Production and Technology

摘　　要：叙述了基于原子层沉积(ALD)薄膜沉积技术的铪基、锆基、钛基和钼基高介电常数(high-κ)材料的基本性能、研究现状及其在动态随机存取存储器(DRAM)中的应用。分析表明,向氧化钛、氧化锆和氧化钼中掺杂铝、铱、钌、钽等元素形成的复合high-κ材料具备更优的热力学和电学性能。基于材料物性、工艺设备等局限,仍然存在较多难题,如保证薄膜完全均匀生长、优化掺杂量、抵抗掺杂后的载流子迁移率下降等。

关 键 词：高介电常数材料 原子层沉积 动态随机存取存储器 进展 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]