动态随机存储器

作品数：178被引量：267H指数：8
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一种用于信息处理微系统DDR互连故障的自测试算法
《微电子学与计算机》2024年第3期98-104,共7页徐润智 杨宇军 赵超 
为解决信息处理微系统中双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate,DDR)复杂互连故障的检出效率和测试成本问题,通过分析DDR典型互连故障模式,将单个存储器件的自动测试设备(Auto Test Equipment,ATE)测试算法与板级系统的系统级测...
关键词：信息处理微系统 双倍速率同步动态随机存储器 互连故障 自测试 现场可编程门阵列 
含DDR3的PCB成本优化应用研究
《数据中心建设+》2023年第12期18-21,共4页傅思怡 周琳怡 包颖 钟经秀 
一、引言近年来,由于UPS(Uninterruptible Power Supply)行业中对系统控制要求的提高,对数据高速缓存的需求也越来越高。Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory译为双倍速率同步动态随机存储器,通常被简称为DDR,是...
关键词：双倍速率同步动态随机存储器 DDR3 数据高速缓存 数据传输速率 SDRAM Access 优化应用 系统时钟频率 
Raspberry Pi的DRAM PUF密钥生成系统研究
《单片机与嵌入式系统应用》2023年第9期29-32,56,共5页谷敏章 毛臻 葛成华 
介绍了基于树莓派B+硬件平台实现DRAM PUF密钥发生系统的研究与设计。系统从嵌入式设备广泛使用的动态随机存储器中提取带有自身硬件指纹的物理不可克隆函数,通过模糊提取算法和Hash算法消除由于环境噪声及老化效应带来的错误信息,稳定...
关键词：树莓派B+ 密钥生成器 模糊提取 动态随机存储器 信息安全 
基于信息安全的易失性USB存储设备设计
《单片机与嵌入式系统应用》2022年第9期41-44,共4页钟午杰 潘子晴 王永炜 石功成 张成伟 钟国辉 
国家重点研发计划(2018YFB0805003)。
通用串行总线(USB)是一种大容量存储设备广泛使用的硬件接口,它具有高传输速度、容易携带等特点,被广泛应用在日常生活中,但也使得USB大容量存储设备中的数据容易被窃取。传统的数据保密方式一般通过认证系统来防止信息泄露,这种方法可...
关键词：通用串行总线 大容量存储设备 同步动态随机存储器 STM32 
一种基于DDR的PS与PL数据交互方法的设计与实现被引量：1
《电子测量技术》2021年第24期79-84,共6页陈小宇 李常对 阳梦雪 
针对片上系统芯片中处理系统和可编程逻辑之间数据交互量大的应用,提出了一种基于双倍速率同步动态随机存储器的PS与PL数据交互方法。PS与PL通过访问共同的DDR,按照自定义的协议进行数据交互。将DDR中用于数据交互的空间划分为指令空间...
关键词：片上系统 数据交互 AXI总线 处理系统 可编程逻辑 双倍速率同步动态随机存储器 
超高带宽的动态随机存储器
《光学精密机械》2021年第4期28-28,共1页
韩国SK海力士日前宣布,该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器(DRAM)每秒能够处理819GB的数据,内置ECC校检。该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其中24GB是业界目前最大容量。在24GB产品中,单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm,使用...
关键词：动态随机存储器 DRAM 最大容量 动态随机存取存储器 HBM ECC 海力士 
同步动态随机存储器时序参数容限测试方法研究被引量：2
《信息技术与标准化》2021年第11期43-46,61,共5页南江 孔宪伟 胡海涛 李进 
对同步动态随机存储器(SDRAM)的时序参数进行了分析,并采用Shmoo测试方法,对某国产DDR2 SDRAM的t RCD、t RAS、t RP、t RC、t CK等时序参数的容限进行了测试。通过与JEDEC标准的对比验证,证明该产品的时序参数满足JEDEC标准的要求,并得...
关键词：SDRAM 时序参数 Shmoo 测试 DDR2 
一种用于SAR成像的数据存储系统设计方法
《太赫兹科学与电子信息学报》2021年第5期845-850,863,共7页王威 曹越 喻忠军 
针对合成孔径雷达(SAR)成像回波数据量巨大和存储器资源利用率偏低的问题,提出一种双倍数据速率动态随机存储器(DDR)的存储装置,并设计一种原位转置的存储方法。该方法首先比较雷达回波数据距离向和方位向的长度,通过预留出距离向和方...
关键词：合成孔径雷达 双倍数据速率动态随机存储器 4倍数据速率静态随机存储器 矩阵转置 原位转置 
基于FPGA和DDR3 SDRAM的高精度脉冲发生器设计与实现被引量：4
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2021年第2期206-209,283,共5页施赛烽 叶润川 林雪 徐南阳 
国家自然科学基金资助项目(JZ2015GJMS0449)。
文章介绍了一种基于现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)和第三代双倍速率同步动态随机存储器(third generation of double-data-rate synchronous dynamic random-access memory,DDR3 SDRAM)的1 ns精度脉冲发生器的...
关键词：现场可编程门阵列(FPGA) 第三代双倍速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM) 脉冲发生器 量子信息 拉比振荡 
动态随机存储器的故障溯源
《软件和集成电路》2020年第4期60-63,共4页Tae Yeon Oh 
多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主...
关键词：动态随机存储器 寄生电容 DRAM 工艺变化 漏电流 动态随机存取存储器 结构异常 器件设计 
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