三星电子改进半导体存储器设计  

作　　者：薛严 

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2025年第1期73-73,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：据韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12 nm级动态随机存取存储器“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡动态随机存取存储器和手机动态随机存取存储器上。此次改变已生产一年多的动态随机存取存储器设计是半导体行业中罕见的案例。

关 键 词：半导体存储器 动态随机存取存储器 三星电子 显卡 半导体行业 量产 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN303[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]