漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别  

作　　者：Tae Yeon Oh 

机构地区：[1]泛林集团

出　　处：《中国电子商情》2020年第5期40-43,共4页China Electronic Market

摘　　要：从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。

关 键 词：DRAM 寄生电容 漏电流 故障识别 结构异常 动态随机存取存储器 器件设计 考虑因素 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]