镍硅化物

作品数：17被引量：15H指数：2
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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
《半导体技术》2024年第9期838-843,共6页方精训 姜兰 
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe...
关键词：镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG) 
SiC晶圆背面激光退火工艺研究被引量：1
《半导体技术》2022年第2期117-121,151,共6页吴嘉兴 刘英坤 谭永亮 刘佳佳 
国家重点研发计划项目(2016YFB0400503)。
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一。采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(XRD)和探针台对晶圆背面镍硅合金进行测量分析,得出最佳能...
关键词：SIC 激光退火 镍硅化物 欧姆接触 碳团簇 
Ni基硅化物受退火方式影响的研究被引量：1
《微电子学》2019年第2期270-274,共5页盛捷 罗军 吕亮 赵志远 肖志强 
国家科技重大02专项资助项目(2011ZX02103-003);国家高技术研究开发863计划资助项目(2015AA010601);微电子研究所微电子器件与集成技术开放项目;中国科学院和中国科学院青年创新促进协会资助项目(2015097)
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中。工艺中,加热条件的变化会导致生成不同的Ni基硅化物,均一性也会根据加热方式产生变化,影响器件的性能。...
关键词：镍硅化物 浸入式退火 激光退火 薄层电阻 
德国开发出一种金属间镍硅化物纳米加氢催化剂
《石油炼制与化工》2018年第10期94-94,共1页程薇(摘译) 
德国科学家开发出一种金属间镍硅化物纳米加氢催化剂Ni-phen@SiO 2-1000。该催化剂的稳定性好、活性高，可用于催化多种不饱和化合物的加氢反应。这种催化剂是用SiO 2作为硅源直接合成的，合成过程涉及在镍纳米颗粒的存在下，对Si－O键...
关键词：加氢催化剂 镍纳米颗粒 镍硅化物 金属间 开发 德国 不饱和化合物 含氮杂环化合物 
韩国开创单晶镍硅化物纳米线合成新法
《中国粉体工业》2016年第1期50-50,共1页
据韩国钢铁金属新闻的最新报道，单晶硅化物Ni2Si金属问化合物具备特有的半导性，常作为集成电路以及光学设备的材料。近来已经找到了一种更为简便的纳米线合成方法，这在产学研业界引起了广泛的关注。
关键词：镍硅化物 合成方法 纳米线 单晶 韩国 光学设备 集成电路 铁金属 
In-Situ Rs and Improvement in Thermal Stability of Nickel Silicides Using Different Interlayer Films
《材料科学与工程（中英文A版）》2015年第3期164-170,共7页Chi-Ting Wu Wen-Hsi Lee Ying-Lang Wang Shih-Chieh Chang 
关键词：高热稳定性 硅化镍 原位 镍硅化物 膜 腐蚀速率 NISI 电阻率 
Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析
《微电子学》2014年第2期245-248,201,共5页蒋葳 刘云飞 尹海洲 
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅...
关键词：镍硅化物 肖特基接触 势垒高度 界面态 
杂质分凝技术对肖特基势垒高度的调制
《半导体技术》2013年第1期55-59,共5页毛淑娟 罗军 闫江 
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题资助项目
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJD)的肖特基势垒高度,系统地研究了S...
关键词：肖特基势垒高度 NISI n—Si肖特基二极管 硅化诱发杂质分凝技术 镍硅化物 金属-半导体接触 
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
《液晶与显示》2012年第3期303-307,共5页彭尚龙 胡多凯 贺德衍 
国家自然科学基金青年项目(No.61106006);中央高校基本科研业务费专项基金
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性...
关键词：镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 
一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法被引量：1
《电子学报》2011年第11期2502-2506,共5页黄伟 张树丹 许居衍 
中国博士后科学基金(No.20100481102)
本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 俄歇能谱分析 卢瑟福背散射 原子力显微镜 
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