快速热退火

作品数：181被引量：216H指数：7
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相关作者：徐秋霞张卫丁士进孙清清郝跃更多>>
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Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延
《电子学报》2024年第12期3907-3913,共7页许钪 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 高源 杨赫 安瑕 黄俊 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(No.62074120);国家资助博士后研究人员计划(No.GZC20241306);湖北省开发项目(No.2022BFE001)。
氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶...
关键词：氮化镓 诱导成核 快速热退火 金属有机化学气相沉积 位错密度 光学性能 电学性能 
多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究被引量：2
《中国光学（中英文）》2023年第6期1512-1523,共12页刘翠翠 林楠 马骁宇 张月明 刘素平 
广东省重点领域研发计划项目(No.2020B090922003);中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)。
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 快速热退火 波长蓝移 光致发光谱 
基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究
《红外与毫米波学报》2023年第5期634-642,共9页曹嘉晟 李淘 于一榛 于春蕾 杨波 马英杰 邵秀梅 李雪 龚海梅 
Supported by National Natural Science Foundation of China(62175250,62075229,62274169);Shanghai Municipal Science and Technology Major Project(2019SHZDZX01)。
系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0...
关键词：短波红外 铟镓砷探测器 快速热退火 扩散 
对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究被引量：6
《光学学报》2022年第1期192-198,共7页何天将 井红旗 朱凌妮 刘素平 马骁宇 
国防科技重点基金(6142405041803)。
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉...
关键词：激光器 高功率半导体激光器 快速热退火 量子阱混杂 光学灾变损伤 非吸收窗口 
InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光敏元蚀刻表面特性
《红外与毫米波学报》2021年第4期427-431,共5页崔玉容 徐志成 黄敏 许佳佳 陈建新 何力 
国家重点研发计划(2016YFB0402403);国家自然科学基金(61974152,61904183,61534006);中国科学院青年创新促进会会员(2016219);上海市青年科技启明星项目(20QA141500)。
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器台面蚀刻区域特性进行了研究报道。通过台面结栅控结构和快速热退火相结合的实验...
关键词：二类超晶格 快速热退火 栅控结构 X射线光电子能谱 
快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响被引量：3
《中国激光》2021年第7期188-195,共8页申琳 唐吉龙 贾慧民 王登魁 房丹 方铉 林逢源 魏志鹏 
国家自然科学基金(61574022,61674021,11674038,61704011,61904017);高功率半导体激光器国家重点实验室基金、长春理工大学青年基金(XQNJJ-2018-18)。
I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光...
关键词：光谱学 光致发光 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱 快速热退火 局域态 
微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应
《物理学报》2021年第11期248-253,共6页刘伟 平云霞 杨俊 薛忠营 魏星 武爱民 俞文杰 张波 
国家自然科学基金(批准号:61604094)资助的课题。
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分...
关键词：微波退火 快速热退火 锗锡合金 钛插入层 
采用红外快速热退火的晶体管TED效应与沟道尺寸的关系研究
《红外与激光工程》2021年第5期104-111,共8页任梦远 陈霏 
硼的瞬间增强扩散(transient enhanced diffusion,TED)导致MOS晶体管出现反短沟道效应,阈值电压异常升高,严重影响器件性能和良品率,不同的器件尺寸,阈值电压增量不同,为探究沟道内杂质离子分布情况和器件尺寸对TED效应的影响,在40 nm C...
关键词：瞬间增强扩散 阈值电压 离子注入 沟道尺寸 间隙硅原子 红外快速热退火 
快速热退火对Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt阻变特性的影响
《稀有金属》2020年第12期1286-1291,共6页于军洋 赵鸿滨 陈小强 魏峰 
国家自然科学基金项目(51107005,51477012)资助
采用磁控溅射在Si/SiO_(2)衬底上制备了Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt阻变器件(RRAM),研究并分析了快速热退火对Pt/Dy_(2)O_(3)/Pt器件阻变特性的影响。通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)研究了快速热退火对Dy...
关键词：氧化镝 阻变存储器(RRAM) 快速热退火 氧空位 
快速热退火工艺对工业生产红光LED芯片性能的影响
《电子测试》2020年第16期84-86,67,共4页朱斌 余景权 陈苡宁 耿文涛 孙耕 
东华理工大学教育部核技术应用工程中心开放基金项目(HJSJYB2017-5);东华理工大学校级教学改革研究课题(DHJG-19-20)。
采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影...
关键词：快速热退火 ITO薄膜 欧姆接触 LED芯片 
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