金属有机化学气相沉积

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双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
《人工晶体学报》2025年第3期426-437,共12页王月飞 高冲 吴哲 李炳生 刘益春 
科技部重点研发计划(2019YFA0705202);国家自然科学基金(62274027,62404039);松山湖材料实验室开放研究基金(2023SLABFK03)。
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测 
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga_(2)O_(3)薄膜性质的影响研究
《人工晶体学报》2025年第3期438-444,I0003,共8页韩宇 焦腾 于含 赛青林 陈端阳 李震 李轶涵 张钊 董鑫 
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在Fe掺杂的(001)、(010)和(201)晶面的氧化镓(Ga_(2)O_(3))衬底上实现了Si掺杂n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜的同质外延生长,系统研究了衬底晶面对生长的薄膜晶体质量、生长速度及电学性能的影响。研...
关键词：氧化镓 金属有机化学气相沉积 同质外延 掺杂 迁移率 生长速率 
沉积温度对MOCVD法在铁素体不锈钢表面制备Mn_(1.5)Co_(1.5)O_(4)涂层性能的影响
《武汉工程大学学报》2025年第1期37-43,共7页李华 马超 汤加杰 熊春艳 赵培 
湖北省教育厅科技计划指导项目(B2023041);湖北省重点研发项目(2024BCB074)。
为了研究在固体氧化物燃料电池阴极条件下Mn_(1.5)Co_(1.5)O_(4)涂层对连接体的保护效果,以三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)锰和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钴为前驱体,通过金属有机化学气相沉积法在SUS430铁素体不锈钢上成功制备了Mn...
关键词：固体氧化物燃料电池 Mn_(1.5)Co_(1.5)O_(4)涂层 高温抗氧化性 金属有机化学气相沉积 
基于MOCVD的β-Ga_(2)O_(3)同质外延与Al掺异质结外延生长研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第1期1-15,共15页刘洋 何云龙 陈谷然 陆小力 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金资助项目(62474133,U2241220);实验室开放基金项目(2413S111);中央高校基本业务费资助项目(QTZX23019,ZDRC2002)。
β-Ga_(2)O_(3)是一种具有超宽带隙、高临界击穿场强和优异的巴利加优值的半导体材料,近年来在电力电子与深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。金属有机化学气相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术凭借其...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 金属有机化学气相沉积 同质外延 β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) 
Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延
《电子学报》2024年第12期3907-3913,共7页许钪 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 高源 杨赫 安瑕 黄俊 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(No.62074120);国家资助博士后研究人员计划(No.GZC20241306);湖北省开发项目(No.2022BFE001)。
氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶...
关键词：氮化镓 诱导成核 快速热退火 金属有机化学气相沉积 位错密度 光学性能 电学性能 
MOCVD技术制备In_(2)O_(3)紫外光电探测器研究
《微纳电子技术》2024年第12期47-54,共8页李奕霏 晏长岭 
吉林省科技厅项目(20220101122JC)。
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法分别在蓝宝石、氧化钇稳定氧化锆(YSZ)和蓝宝石上p-GaN衬底上生长In_(2)O_(3)薄膜,生长温度为600℃。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、霍尔系统对3种薄膜...
关键词：氧化铟(In_(2)O_(3)) 氧化钇稳定氧化锆(YSZ) p型氮化镓 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光电探测器 
MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究
《人工晶体学报》2024年第9期1608-1619,共12页吴蕊 胡洋 唐荣芬 阳倩 王序 吴怡逸 聂登攀 王环江 
国家自然科学基金(22262008);贵州省基础研究计划(自然科学)(ZK[2021]051);贵州省科技计划项目([2020]4Y014,[2020]1Y406,[2021]YB484,[2023]YB349);贵州省科学协会专题和研究课题(YZ2023001);贵州省教育厅自然科学研究项目(QJJ[2022]159)。
本文利用量子化学的密度泛函理论(DFT),研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长ZnO薄膜过程中二乙基锌(DEZn)与叔丁醇(t-BuOH)体系的气相寄生反应机理。通过计算不同温度下反应路径的Gibbs自由能变化,从热力学角度详细分析关键中间产物(...
关键词：氧化锌 金属有机化学气相沉积 密度泛函理论 寄生反应 薄膜 二聚物 
石墨烯插入层对蓝宝石上GaN材料的应力调制
《微纳电子技术》2024年第9期142-147,共6页王波 房玉龙 尹甲运 张志荣 芦伟立 高楠 
较大的晶格失配和热失配使得异质外延生长的GaN材料具有很高的残余应力,对材料和器件的性能产生重要影响。在蓝宝石衬底和GaN外延层之间插入一层石墨烯,通过Raman光谱和弯曲度测试分析了石墨烯插入层对GaN材料应力的影响。Raman测试结...
关键词：氮化镓(GaN) 外延 石墨烯 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 应力 弯曲度 
高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
《半导体技术》2024年第8期702-707,共6页高楠 房玉龙 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一...
关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM) 
大尺寸方形载板MOCVD反应腔分气和薄膜沉积过程影响因素的数值模拟研究
《真空》2024年第2期22-28,共7页于大洋 吴改 
介绍了适用于光伏行业砷化镓(GaAs)薄膜电池制备所需的大尺寸方形载板金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应腔的多级分气系统,以及该反应腔结构设计过程中的核心参数:喷淋盘孔尺寸、载板与喷淋盘间距(简称“腔室间距”)。基于自研的容量为36...
关键词：金属有机化学气相沉积 砷化镓 数值模拟 气体分配 
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