芦伟立

作品数：12被引量：20H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：氮化镓外延层衬底石墨烯碳化硅更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《物理化学学报》《物理学报》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家电网公司科技项目更多>>
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石墨烯插入层对蓝宝石上GaN材料的应力调制
《微纳电子技术》2024年第9期142-147,共6页王波 房玉龙 尹甲运 张志荣 芦伟立 高楠 
较大的晶格失配和热失配使得异质外延生长的GaN材料具有很高的残余应力,对材料和器件的性能产生重要影响。在蓝宝石衬底和GaN外延层之间插入一层石墨烯,通过Raman光谱和弯曲度测试分析了石墨烯插入层对GaN材料应力的影响。Raman测试结...
关键词：氮化镓(GaN) 外延 石墨烯 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 应力 弯曲度 
6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
《微纳电子技术》2024年第7期86-92,共7页李帅 房玉龙 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 
随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体...
关键词：4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度 
4H-SiC同质外延生长工艺概述
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第1期50-53,共4页李建涛 李佳 芦伟立 
宽禁带碳化硅材料相比于硅具有许多优异的性能,因此引起了世界的广泛关注。然而,如何制备出高质量和低缺陷密度的外延层材料仍是近些年研究的重点和难点。本文详细地介绍了碳化硅外延材料生长工艺过程,同时对外延生长过程中的关键工艺参...
关键词：碳化硅 工艺参数 外延 
6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
《半导体技术》2022年第5期381-385,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 芦伟立 高楠 陈秀芳 
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温...
关键词：6英寸 SIC衬底 摇摆曲线 单晶质量均匀性 GaN外延 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
SiC同质外延材料表面形貌缺陷研究
《中国标准化》2019年第S01期50-53,共4页芦伟立 李佳 崔波 冯志红 
本文针对SiC同质外延材料中的表面形貌缺陷展开研究,使用共聚焦表面缺陷分析仪对外延材料表面缺陷进行表征测试和统计。根据三角形缺陷的结构和形貌特征,分析三角形缺陷的产生机制和延伸模型,系统研究了刻蚀气体HCl流量对SiC外延材料表...
关键词：SIC 外延材料 三角形缺陷 胡萝卜缺陷 
基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料被引量：9
《物理学报》2018年第7期211-218,共8页张志荣 房玉龙 尹甲运 郭艳敏 王波 王元刚 李佳 芦伟立 高楠 刘沛 冯志红 
国家重点研究发展计划(批准号：2017YFB0404100)资助的课题.
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利...
关键词：金属有机物化学气相沉积 氮化镓 热处理 同质外延 
基于三氯硅烷的高质量4H-SiC多片外延生长被引量：2
《半导体技术》2018年第3期228-232,共5页卜爱民 房玉龙 李佳 芦伟立 赵丽霞 杨龙 尹甲运 刘沛 冯志红 陈秉克 蔡树军 
使用三氯硅烷（TCS）作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料。研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷分析仪对SiC外延材料表面缺陷进行表征测试和统...
关键词：SIC 外延 三氯硅烷(TCS) 缺陷 不均匀性 
表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响
《物理学报》2017年第24期230-235,共6页王波 房玉龙 尹甲运 刘庆彬 张志荣 郭艳敏 李佳 芦伟立 冯志红 
基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉...
关键词：石墨烯 氮化镓 范德瓦耳斯外延 表面预处理 
温度对硅衬底上生长石墨烯的影响被引量：1
《半导体技术》2016年第11期852-856,共5页刘庆彬 蔚翠 何泽召 王晶晶 李佳 芦伟立 冯志红 
通过化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上制备石墨烯薄膜,研究了生长温度对薄膜的影响以及石墨烯生长机理。采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、喇曼光谱、光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子谱(XPS)表征石墨...
关键词：石墨烯 硅衬底 化学气相沉积(CVD)法 生长温度 生长机理 
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