4H-SiC同质外延生长工艺概述  

作　　者：李建涛 李佳[1] 芦伟立[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2023年第1期50-53,共4页

摘　　要：宽禁带碳化硅材料相比于硅具有许多优异的性能,因此引起了世界的广泛关注。然而,如何制备出高质量和低缺陷密度的外延层材料仍是近些年研究的重点和难点。本文详细地介绍了碳化硅外延材料生长工艺过程,同时对外延生长过程中的关键工艺参数,如生长温度、硅氢比、碳硅比和氯硅比等对外延层结晶质量、缺陷水平以及厚度和掺杂浓度均匀性的影响进行了分析和讨论。其目的在于深入理解外延过程中的工艺参数对外延层的影响,通过对工艺参数的优化,制备出高质量的碳化硅外延材料,全面满足大功率电力电子器件的需求。

关 键 词：碳化硅 工艺参数 外延 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]