碳化硅

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半导体制造业用碳化硅制备工艺研究与实践
《模具制造》2025年第5期243-245,共3页徐生龙 冶艳 白璐璐 廉泽宁 
甘肃省科技厅2024年度第八批省级科技计划(技术创新引导计划)项目“大数据背景下高品质碳化硅(SiC)生产工艺优化”(24CXGH001)。
碳化硅制备工艺对于生产高质量碳化硅晶圆有着直接影响,目前碳化硅晶圆被应用到了各个高新领域之中,是制作高新产品的重要材料之一。但由于碳化硅制备工艺仍然较为落后,这一定程度影响了科技的发展。因此,半导体制造业一定要深入研究碳...
关键词：半导体 碳化硅 制备工艺 
精细碳化硅微粉粉气自动分离装置的研究
《科学技术创新》2025年第10期83-87,共5页彭先良 刘相东 王云峰 
碳化硅微粉气流生产设备中的旋风分离器,是利用离心力分离气流中碳化硅颗粒的设备,依靠气流切向引入造成的旋转运动,使具有较大惯性离心力的固体碳化硅颗粒甩向外壁面分开,是粉体生产应用很广的一种分离设备。当下的设备存在着以下不足...
关键词：碳化硅微粉 分离器 粉气自动分离 
摩擦工况对超高分子量聚乙烯/SiC复合材料摩擦学性能的影响
《机床与液压》2025年第7期7-15,共9页郭永刚 彭江博 庞杨 张庆 张新瑞 
河南省重点研发专项(241111222100);国家自然科学基金面上项目(51775169);郑州市创新创业团队项目(2024)。
探究不同摩擦工况下,SiC含量对超高分子量聚乙烯/SiC(UHMWPE/SiC)复合材料摩擦学性能的影响规律,以期获得摩擦学性能优异的复合材料。采用热压成型法制备不同SiC含量的5种UHMWPE/SiC复合材料,利用傅里叶变换红外光谱仪表征复合材料的红...
关键词：超高分子量聚乙烯 碳化硅 复合材料 摩擦工况 摩擦学性能 
非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
《原子能科学技术》2025年第4期957-965,共9页王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
新型航天器对千伏级抗辐照SiC器件有迫切需求,为了给SiC MOSFET抗单粒子栅穿加固设计提供理论依据,对1 200 V非对称沟槽SiC MOSFET开展了单粒子栅穿效应研究。试验结果表明,在200 V、300 V的漏极偏置电压下进行辐照,辐照期间和辐照后器...
关键词：碳化硅 MOSFET 单粒子效应 单粒子栅穿 辐照效应 
神经网络-遗传算法在碳化硅生产艺优化中的应月
《信息记录材料》2025年第4期37-39,共3页崔玉萍 刘昀雯 
甘肃省科技厅2024年度第八批省级科技计划(技术创新引导计划)项目(24CXGH001)。
针对碳化硅生产工艺中存在的预测精度低、收敛速率慢和产品质量不稳定等问题,本研究提出一种基于神经网络和遗传算法的碳化硅生产工艺优化方法,通过神经网络建模与训练和遗传算法优化实现碳化硅生产工艺参数的精确建模与优化,显著提高...
关键词：碳化硅 神经网络 遗传算法 工艺优化 
一种表面柔性导热硅橡胶复合材料及其制备方法
《橡胶参考资料》2025年第2期54-54,共1页
申请的专利(申请公布号:CN119592076A,申请公布日:2025.03.11)介绍了一种表面柔性导热硅橡胶复合材料及其制备方法,本发明属于高分子复合材料领域,所述表面柔性导热硅橡胶复合材料包括柔性界面层和位于所述柔性界面层上方的导热通道层,...
关键词：导热硅橡胶 高分子复合材料 柔性界面 液态金属 碳化硅 导热通道 制备方法 
基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期331-339,共9页杨早 陈万军 陈资文 
介绍了一种基于漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的纳秒级高压脉冲产生电路的工作原理,对该电路进行建模,并根据模型讨论了影响脉冲输出特性的关键电路参数。实验中采用本实验室研制的高压碳化硅(SiC)DSRD器件在50Ω的标准负载上得到了峰值为2....
关键词：漂移阶跃恢复二极管 电路参数 脉冲电路 纳秒级 碳化硅 
基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源
《焊接》2025年第4期34-42,49,共10页赵千淇 程旭峰 郝欣 李赫 
教育部产学合作协同育人项目(220501768073535)。
【目的】旨在解决当前传统的工业级弧焊电源的效率低、功率密度低等问题。【方法】研制了一种基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源,该电源的开关器件采用SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-oxide-semiconductor field-effect t...
关键词：高频逆变 碳化硅器件 高功率密度 单板结构设计 弧焊电源 
基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造
《固体电子学研究与进展》2025年第2期23-28,共6页田源 黄润华 倪朝辉 刘涛 张国斌 杨勇 柏松 
为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条...
关键词：碳化硅 驱动电路 金属氧化物半导体晶体管 
碳化硅改性混凝土高温作用后物理力学性能试验研究
《新型建筑材料》2025年第4期20-24,共5页夏伟 赵靖 陈涛 白二雷 黄河 
国家自然科学基金项目(52278287);河南省自然科学基金项目(242300421253)。
通过高温试验和准静态压缩试验,研究了碳化硅改性混凝土从25℃分别升温至200、400、600、800℃恒温3 h时的外观形貌、烧失率及残余抗压强度的变化。结果表明,与普通混凝土试件相比,碳化硅改性混凝土试件的外观形貌较完整,烧失率较小,高...
关键词：混凝土 碳化硅 高温作用 烧失率 残余抗压强度 
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