碳化硅器件

作品数：103被引量：206H指数：8
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基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源
《焊接》2025年第4期34-42,49,共10页赵千淇 程旭峰 郝欣 李赫 
教育部产学合作协同育人项目(220501768073535)。
【目的】旨在解决当前传统的工业级弧焊电源的效率低、功率密度低等问题。【方法】研制了一种基于SiC器件的大功率高功率密度弧焊电源,该电源的开关器件采用SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-oxide-semiconductor field-effect t...
关键词：高频逆变 碳化硅器件 高功率密度 单板结构设计 弧焊电源 
基于碳化硅器件的电力电子变压器单元设计
《电力电子技术》2025年第2期23-26,共4页徐海 张雨莹 刘祥洋 
国家自然科学基金(51777053)。
电力电子变压器(PET)因便于模块化集成、接口灵活丰富而不失为一种变压器的良好替代方案。第3代半导体材料碳化硅(SiC)的发展为PET在中高压领域的应用拓展了道路,同时现场可编程门阵列(FPGA)的快速高精度并行处理和多通道输出为实现变...
关键词：电力电子变压器 碳化硅 现场可编程门阵列 谐振变换单元 
面向新型碳化硅器件的随机脉冲谐波抑制方法
《制造业自动化》2024年第10期165-171,共7页叶国云 张文龙 叶青云 张巍 闫鲲鹏 
宁波市科技创新2025重大专项(2021Z068,2022Z065,2023Z041);宁波市象山县科技计划(2022B1021)。
新型碳化硅器件在对电机进行驱动时,容易在开关频率及其倍频附近产生谐波,从而对电机的转动造成影响。针对此问题,提出了一种基于马尔科夫链的随机脉冲SVPWM谐波抑制方法。首先,通过对传统SVPWM的调制原理及谐波电流的产生进行分析;其次...
关键词：碳化硅 空间矢量脉宽调制 随机脉冲位置 马尔科夫链 谐波抑制 
基于宽禁带器件的新型配网三相功率调节装置的设计与研究
《电工技术》2024年第19期46-49,54,共5页袁俊球 王迪 邓中诚 秦斌 张茜颖 
大量分布式新能源接入配电系统后,其出力不确定性使配电网功率分布复杂,三相功率不平衡问题突出。目前国内主流的三相有源不平衡治理装置硬件受系统限制,无法从根本上解决发热和开关频率问题,而新型碳化硅宽禁带开关器具有耐压、低损耗...
关键词：三相功率不平衡 碳化硅器件 宽禁带器件 三相功率调节 新型配电网 
碳化硅,别“卷偏了”!
《中国粉体工业》2024年第4期48-49,53,共3页
碳化硅有多火,就不必多说了。碳化硅衬底技术壁垒高,为价值链条核心环节。碳化硅器件价值量存在倒挂,其成本主要集中在衬底和外延,根据CASA数据,两者占成本比例合计70%。其中,衬底制造技术壁垒最高,成本占比高达47%,是最核心环节。
关键词：碳化硅衬底 碳化硅器件 技术壁垒 核心环节 价值量 成本比例 
基于分离变量法的功率碳化硅器件热场分析
《微电机》2024年第6期30-35,共6页李茂泉 郗珂庆 尹海韬 王志业 贾萍 
针对电机驱动中SiC MOSFET模块发热及其在自身器件内热量传导问题,分析功耗来源和计算方法,计算功率器件工作时的功耗,建立功率器件热模型,结合模块属性和参数,列出传热方程并确定边界条件,最终得出一种基于分离变量法快速计算功率器件...
关键词：SiC MOSFET 热损耗 热模型 热量计算 
基于高压SiC MOSFET模块桥式电路串扰抑制
《电力电子技术》2024年第3期68-70,92,共4页郑志豪 任小永 黄帆 
国家自然科学基金(52177181)。
碳化硅(SiC)器件开关速度快,在高压条件下串扰现象明显,串扰尖峰容易引起桥臂直通,损坏器件。此处基于桥式电路,考虑了SiC寄生参数的影响,分析了桥臂串扰现象的原因。提出了一种有源箝位的电路,可以有效抑制桥臂串扰尖峰,并且可以减小...
关键词：碳化硅器件 串扰抑制 桥式电路 
2-SiC混合型三电平ANPC变流器损耗均衡策略
《电力电子技术》2024年第1期10-13,共4页戴振辉 周腊吾 韩蓉 李舒彬 
湖南省自然科学基金(2018JJ2434)。
提出一种针对2-SiC混合型三电平有源中性点箝位(3L-ANPC)变流器的损耗均衡策略,通过设计新的开关状态和切换顺序,使得SiC器件承担更多的开关事件,在零电平状态时两条零电平回路同时导通,降低系统导通损耗。同时通过合理分配开关时序,实...
关键词：变流器 碳化硅器件 损耗均衡 调制方法 
1200V碳化硅二极管制备及可靠性分析
《集成电路应用》2023年第11期4-5,共2页杨承晋 刘勇强 刘涛 杨啸 
阐述设计并制备1 200V 10A碳化硅二极管,测试器件的静态参数和高温特性,对器件进行150℃80%BV常规高温反偏试验和175℃100%BV加严高温反偏试验,研究严苛条件下器件长期可靠性参数变化。测试结果显示所设计1 200V碳化硅二极管,常温静态...
关键词：碳化硅器件 二极管 高温反偏试验 
基于TCAD技术的碳化硅槽栅MOSFET器件设计被引量：1
《实验技术与管理》2023年第11期142-147,共6页刘彦娟 韩迪 贾德振 
辽宁省科技厅资助项目(2021-BS-192);辽宁省教育厅资助项目(LJKZ0174);辽宁省教改资助项目(辽教办〔2021〕254号)。
针对碳化硅槽栅MOSFET器件内部寄生二极管的反向恢复特性差的问题,设计了碳化硅槽栅MOSFET器件新结构,通过在碳化硅槽栅MOSFET器件元胞内部集成多晶硅/碳化硅异质结二极管,在不使器件的其他电学特性退化的基础上,改善器件的反向恢复特...
关键词：碳化硅器件 槽栅MOSFET器件 反向恢复特性 多晶硅/碳化硅异质结 半导体功率器件 
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