半导体功率器件

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功率器件银电化学迁移分析与改善
《电子与封装》2025年第4期1-4,共4页邱志述 胡敏 
银作为可焊接金属,与铅、锡等形成低温合金可显著提升工艺适应性,广泛应用于半导体功率器件领域。芯片金属与封装互连中银电化学迁移常导致器件短路,以致失效。为了减少这类失效,对银电化学迁移机理进行研究,并从芯片、封装方面给出改...
关键词：银电化学迁移 半导体功率器件 芯片金属 铅锡可焊接金属 
半导体功率器件IGBT故障失效损坏机理
《中国科技信息》2025年第6期75-77,共3页韩康博 
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。功率模块是实现绿色能源转换的重要部件,IGBT是一种综合性能优异的全控型电力电子器...
关键词：功率半导体器件 功率晶体管 场效应管 电力电子器件 电源转换 通态电流 功率模块 BJT 
国产替代加速进行中,长晶科技成中国半导体功率器件的领跑者
《变频器世界》2025年第1期70-70,共1页
在全球半导体产业风起云涌的今天,中国半导体企业正以前所未有的速度崛起,其中,江苏长晶科技股份有限公司(以下简称“长晶科技”)凭借其卓越的技术创新能力和市场战略眼光,已成为中国半导体功率器件领域的领跑者。随着国产替代进程的加...
关键词：半导体企业 技术创新能力 半导体产业 功率半导体 半导体功率器件 领跑者 加速推进 战略眼光 
第十届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展(西安)论坛
《微纳电子技术》2024年第8期I0003-I0004,共2页
为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第十届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”...
关键词：半导体分立器件 技术交流活动 半导体功率器件 自主创新能力 功率半导体 技术水平 成果转化 技术工作者 
第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知
《微纳电子技术》2024年第5期I0001-I0001,共1页
中国半导体分立器件产业随着传统产业转型和技术升级,在新兴产业发展中发挥着不可或缺的重要作用。新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。全球经济复苏缓慢,消费预期下降,继续影响半导体分立器件行业...
关键词：产业发展论坛 半导体分立器件 消费预期 技术升级 大数据中心 半导体器件 半导体功率器件 新兴产业发展 
第十八届中国半导体行业协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛会议通知
《微纳电子技术》2024年第4期I0001-I0001,共1页
中国半导体分立器件产业随着传统产业转型和技术升级,在新兴产业发展中发挥着不可或缺的重要作用。新材料和新技术的不断发展应用,对半导体分立器件未来发展产生深远的影响。全球经济复苏缓慢,消费预期下降,继续影响半导体分立器件行业...
关键词：产业发展论坛 半导体分立器件 消费预期 技术升级 中高端市场 大数据中心 半导体器件 半导体功率器件 
超百亿投资SiC项目即将封顶!
《变频器世界》2024年第4期41-41,共1页
近日,据“湖北新闻”透露,长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶,明年7月投产,达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶片及外延片、年产6100万个功率器件模块。据悉,2023年8月25日,武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导...
关键词：研发生产基地 项目合作协议 半导体功率器件 晶圆制造 外延片 第三代 器件设计 
尚阳通拟科创板IPO:国产替代浪潮下行业地位有望进一步巩固
《变频器世界》2024年第3期41-41,共1页
作为国家级高新技术企业和深圳市“专精特新”企业,尚阳通专业从事高性能半导体功率器件研发、设计和销售。其高压产品线包括超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件,中低压产品线主要包括SGTMOSFET,产品覆盖车规级、工业级和消费...
关键词：产品线 半导体功率器件 功率模块 专精特新 IPO 中低压 消费级 高新技术 
半导体功率器件用氮化硅基片专利技术专利现状
《中国科技信息》2024年第4期17-19,共3页杨凌艳 赖欣 
国家知识产权局学术委员会2023年度半导体功率器件用陶瓷基板及金属化技术专利分析研究课题。
本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。
关键词：专利申请趋势 氮化硅基 重点申请人 专利技术 技术功效 全球专利 指导方向 产业化 
陶瓷基板AMB覆铜技术专利现状被引量：1
《中国科技信息》2024年第4期26-28,共3页崔皎洁 温馨 
国家知识产权局学术委员会2023年度半导体功率器件用陶瓷基板及金属化技术专利分析课题。
本文详细梳理了半导体功率器件用陶瓷基板AMB覆铜工艺的专利申请趋势、重点申请人技术发展路线、焊料发展,能够对国内陶瓷基板AMB覆铜工艺的研发以及产业化提供一些指导方向。
关键词：陶瓷基板 半导体功率器件 技术发展路线 AMB 指导方向 覆铜 专利现状 产业化 
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