半导体功率器件IGBT故障失效损坏机理  

作　　者：韩康博 

机构地区：[1]北京工业大学材料科学与工程学院

出　　处：《中国科技信息》2025年第6期75-77,共3页China Science and Technology Information

摘　　要：IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。功率模块是实现绿色能源转换的重要部件,IGBT是一种综合性能优异的全控型电力电子器件,IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,既具有MOS管的易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,还兼备了功率晶体管导通电压低、通态电流大和损耗小的优点,是电力电子器件中的主流产品,已广泛应用于工业、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域,在市场应用中占主导地位。但IGBT作为使用频率最高的电源转换芯片,出现故障的频率也一直很高。本文就IGBT故障失效损坏的机理进行分析研究。

关 键 词：功率半导体器件 功率晶体管 场效应管 电力电子器件 电源转换 通态电流 功率模块 BJT 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]