功率晶体管

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半导体功率器件IGBT故障失效损坏机理
《中国科技信息》2025年第6期75-77,共3页韩康博 
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。功率模块是实现绿色能源转换的重要部件,IGBT是一种综合性能优异的全控型电力电子器...
关键词：功率半导体器件 功率晶体管 场效应管 电力电子器件 电源转换 通态电流 功率模块 BJT 
大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
《现代雷达》2024年第5期70-74,共5页刘洪军 王琪 赵杨杨 王佃利 杨勇 
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并...
关键词：大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感 
下一代功率晶体管
《科技纵览》2024年第3期7-9,共3页Glenn Zorpette 
过去十年里,半导体领域里最半导体SEMICONDUCTORS大的事件之一就是传统硅在电力电子领域黯然失色,碳化硅(SiC)禾和镓氮化物(GaN)占据了数十亿美元的市场份额。随着这些新材料在重要领域的应用,自然而然地出现了一个问题:下一代新的功率...
关键词：功率晶体管 功率半导体 半导体领域 电力电子 氮化物 市场份额 SEMICON 下一代 
了解这些 就可以搞懂IGBT
《世界电子元器件》2023年第12期8-11,共4页DigiKey Barley Li 
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,...
关键词：绝缘栅双极晶体管 功率半导体器件 功率晶体管 饱和电压 栅极驱动 开关电源 电子开关 三端 
垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况被引量：6
《科学通报》2023年第14期1727-1740,共14页李博 尹越 阳志超 刘新科 李京波 
国家自然科学基金(61974144,62004127);广东省重点领域研究发展计划(2020B010174003);广东省杰出青年科学基金(2022B1515020073);深圳市科学技术基金(JSGG20191129114216474)资助。
氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛...
关键词：氮化镓 外延生长 垂直氮化镓晶体管 氮化镓驱动集成电路 
氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展被引量：2
《科学通报》2023年第14期1741-1752,共12页韩根全 王轶博 徐文慧 巩贺贺 游天桂 郝景刚 欧欣 叶建东 张荣 郝跃 
国家自然科学基金(62293520,62293521,62293522,62204255,62234007)资助。
超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势,在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景.尽管Ga_(2)O_(3)材料与器件研究已取得很大进展,但其极低的热导系数和缺少有效的...
关键词：氧化镓 晶体管 异质集成 氧化镍 异质结 超结 
氧化镓材料与功率器件的研究进展被引量：3
《电子与封装》2023年第1期63-70,共8页何云龙 洪悦华 王羲琛 章舟宁 张方 李园 陆小力 郑雪峰 马晓华 
氧化镓(Ga_(2)O_(3))以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga_(2)O_(3)的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率...
关键词：Ga_(2)O_(3) 外延材料 功率二极管 功率晶体管 
电驱动和整车控制系统基本策略(二)
《汽车维修与保养》2022年第11期65-69,共5页周晓飞 
4.IGBT功率晶体管电机控制器具有内置的驱动电机控制模块,驱动电机控制模块控制和监视电驱动系统。IGBT功率模块由一个三相桥式电路组成,在IGBT中使用6个功率晶体管和6个二极管(图17)。功率晶体管是一种用于控制大功率电子电路的半导体...
关键词：功率晶体管 半导体元件 栅极驱动器 电机控制模块 电驱动系统 功率损失 电机控制器 定子线圈 
沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究被引量：2
《电子与封装》2022年第8期70-73,共4页廖聪湘 徐海铭 
空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件。对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环...
关键词：功率晶体管 沟槽型VDMOS MOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
电磁测井大功率信号源设计
《石油和化工设备》2022年第4期75-77,共3页嵇成高 李卫强 李国英 郑瑞琪 顾佳 唐宇霖 
电磁测井技术是油气勘探领域中一种重要的井中探测手段,由于探测距离远、衰减大,其对于发射信号源的功率要求较高,针对这一问题本文设计了一种用于井下电磁探测的大功率信号源,采用大功率晶体管IGBT搭建电桥并使用逆变的方式,将高压直...
关键词：电磁测井 信号源 PWM 功率晶体管 
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