栅极驱动

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BCD工艺栅极驱动器总剂量效应
《强激光与粒子束》2025年第5期86-93,共8页许世萍 崔江维 郑齐文 刘刚 邢康伟 李小龙 施炜雷 王信 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区重点研发计划项目(2023B01008);国家重点研发计划项目(2021YFB2401602);国家自然科学基金项目(12275352);新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(2022D01E92);中国科学院青年创新促进会项目。
针对一款BCD工艺栅极驱动器,采用环栅结构进行总剂量效应加固。通过^(60)Co γ辐照试验,对比了加固和非加固器件电学参数随剂量变化情况。结果表明,总剂量辐射会导致器件的输出电压与电流特性发生退化,出现转换电压下降与输出电流上升...
关键词：BCD工艺 栅极驱动器 总剂量效应 环栅加固器件 
自举驱动在大电流应用下的故障机理分析及其优化设计研究
《中国电机工程学报》2025年第7期2768-2778,I0027,共12页林文强 宫金武 潘尚智 林子森 邹辉 查晓明 姚良忠 
国家自然科学基金项目(52177191)。
自举栅极驱动器以其所用元件少、成本低等优点,被广泛应用于由开关桥臂构成的变换器中。在大电流变换器中,自举栅极驱动器的参数设计不当,会导致启动时栅源极电压振荡和桥臂直通,增加开关器件、驱动的故障风险和损耗。由于现有自举栅极...
关键词：自举栅极驱动器 故障保护 低驱动损耗 优化 
栅极驱动电路的传导共模电磁干扰特征分析
《中国电机工程学报》2025年第7期2779-2790,I0028,共13页岳乔治 彭晗 童乔凌 康勇 
国家重点研发计划项目(2021YFB2401600)。
栅极驱动电路作为低压控制电路与高压功率电路连接的桥梁,决定了电力电子器件的可靠开关,同时也承受着强烈的电磁干扰。目前针对栅极驱动电路的传导电磁干扰问题的研究重点关注以“串扰”为代表的差模干扰,对共模干扰缺乏深入的分析。...
关键词：栅极驱动电路 传导电磁干扰 共模干扰 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
图腾柱式IGBT栅极驱动电路设计
《机电产品开发与创新》2025年第1期110-112,共3页吴田 
由晶体管BJT构成的图腾柱式栅极驱动电路在单相交错式PFC中被大量应用,本文分析了IGBT栅极特性和栅极驱动电路结构,分别推导了栅极最大电流、 BJT基极电流以及驱动功率的计算方法,全面地得出了IGBT栅极驱动电路关键器件的参数选型和注...
关键词：IGBT 栅极驱动电路 图腾柱式 栅极最大峰值电流 驱动功率 
栅极驱动器选得好,SiCMOSFET高效又安全
《变频器世界》2025年第1期62-64,共3页
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅(SiC)MOSFET成为这些应用...
关键词：不间断电源 MOSFET器件 栅极驱动电路 栅极驱动器 FET 电力电子应用 电机驱动 
优化IGBT开关性能的自适应变电阻有源驱动电路研究
《太阳能学报》2024年第12期132-138,共7页周家民 黄连生 陈晓娇 窦盛 何诗英 张秀青 
国家自然科学基金(52207034);安徽省科技重大专项(202003a05020019)。
针对IGBT开通过程中的电流及电压振荡提出一种新型自适应IGBT有源栅极驱动电路(NAAGD)。该电路结合互补IGBT的电压电流信息进行开通驱动电阻的投切控制,可实现开通过程电流及电压振荡的抑制,且可自适应电压电流等级的变化。与现有有源...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 自适应 损耗 有源栅极驱动 振荡 
一种改进型抑制SiC MOSFET桥臂串扰的门极驱动设计被引量：1
《电源学报》2024年第5期300-308,共9页李庆辉 潘三博 
针对传统驱动中SiC MOSFET在高开关频率下其寄生参数造成的桥臂串扰更加严重,而现有抑制串扰驱动电路多以增加开关损耗、增长开关延时和增加控制复杂度为代价的问题,根据降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思路,提出1种在栅源极间增加PN...
关键词：SiC MOSFET 串扰抑制 桥式电路 栅极驱动电路 
高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析
《变频器世界》2024年第9期35-38,共4页安森美 
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器,可能会产生大量的耗散功率。因此,需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温,确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路(HVIC)是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路,...
关键词：功率耗散 栅极驱动 散热分析 耗散功率 集成电路 结温 MOSFET 功率损耗 
dI/dt和dV/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第9期9-15,共7页刘畅 杨硕瀚 童乔凌 李启东 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB2401600)。
为了减小绝缘栅型双极晶体管(IGBT)在开关过程中产生的电磁干扰(EMI),设计了一款d I/dt和d V/dt控制的自适应电流型IGBT栅极驱动器.通过对IGBT器件开关过程的分析,总结出EMI产生的原因是IGBT在开启和关断过程中的电流过冲和电压过冲.为...
关键词：绝缘栅型双极晶体管(IGBT) 有源栅极驱动 电磁干扰(EMI) 电压过冲 电流过冲 开关损耗 
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