高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析  

作　　者：安森美 

机构地区：[1]不详

出　　处：《变频器世界》2024年第9期35-38,共4页The World of Inverters

摘　　要：高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器,可能会产生大量的耗散功率。因此,需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温,确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路(HVIC)是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路,驱动高压、高速MOSFET而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。

关 键 词：功率耗散 栅极驱动 散热分析 耗散功率 集成电路 结温 MOSFET 功率损耗 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]