耗散功率

作品数：120被引量：212H指数：7
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高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析
《变频器世界》2024年第9期35-38,共4页安森美 
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器,可能会产生大量的耗散功率。因此,需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温,确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路(HVIC)是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路,...
关键词：功率耗散 栅极驱动 散热分析 耗散功率 集成电路 结温 MOSFET 功率损耗 
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
《变频器世界》2023年第9期57-57,共1页
近日,意法半导体新系列IGBT晶体管将击穿电压提高到1350V,最高工作温度拓宽到175℃,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。新推出的STPOWERIH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数...
关键词：导通状态 耗散功率 饱和电压 击穿电压 意法半导体 晶体管 IGBT 功率转换 
铝硅合金相变储热装置保温结构实验研究被引量：1
《广东工业大学学报》2023年第3期46-51,共6页程子杰 陈观生 刘良德 毛凌波 罗超鸿 许佳孟 谢鹏 金露 谯耕 
广州市科技计划项目(201902010021)。
保温结构直接影响储热装置的储热性能。针对铝硅合金相变储热装置的保温问题,本文提出了4种不同的保温结构,测试了不同保温结构下储热装置的外壳温度、耗散功率及其储热效率并进行对比,得出最佳保温结构。研究结果表明,在储热体温度为60...
关键词：铝硅合金 相变储热 保温结构 耗散功率 储热效率 
声场驱动下泡壁运动方程的理论分析被引量：1
《核科学与工程》2023年第1期124-132,共9页郑潇潇 王笑语 张宇宁 
国家自然科学基金(51976056)项目。
声场驱动条件下的泡壁运动方程一直是泡动力学领域的重要研究内容。当泡壁运动方程用于预测高马赫数下的气泡振荡特性时,为满足计算精度的需求,应该充分考虑液体的可压缩性。在声场驱动条件下,本文数值研究了含二阶马赫数修正的泡壁运...
关键词：泡壁运动方程 气泡振荡特性 高马赫数 耗散功率 
产业信息
《单片机与嵌入式系统应用》2022年第6期94-96,共3页
ST发布高集成度车规音频放大器,意法半导体的TDA7901车规功放单片集成G类功放开关管降压控制器,并支持高清音频,这个独步市场的特性组合带来出色的听觉体验和高能效。在G类放大中,TDA7901降压控制器根据音频信号电平,自动优化桥接负载(B...
关键词：单片集成 音频放大器 信号电平 耗散功率 模拟音频 电源电压 D类功放 意法半导体 
意法半导体双通道高边开关为容性负载驱动设计带来更多灵活性
《电子质量》2022年第2期99-99,共1页
意法半导体最新的智能驱动高边开关IPS2050H和IPS2050H-32可设置两个限流值,适用于启动电流很大的容性负载。这两款新双通道开关的输入电压范围为8 V至60V,输入引脚最大耐受电压为65 V,确保该器件在工业应用中具有很高的设计灵活性和工...
关键词：导通电阻 耗散功率 意法半导体 容性负载 启动电流 输入电压范围 智能驱动 驱动设计 
微波干燥过程中不同物料的干燥效率研究
《安徽科技学院学报》2021年第6期99-105,共7页吴慧栋 孙铜生 凌方庆 
安徽省高校自然科学研究重大项目(KJ2020ZD38)。
为研究微波干燥时不同物料对电磁场的影响,依据电磁波传播特性,使用COMSOL Multiphysics软件对微波真空干燥箱干燥稻谷与小麦时的场分布进行模拟,观察频率为2.45 GHz、功率为600 W环境下,微波干燥不同物料时腔体内部的电磁场与耗散功率...
关键词：微波干燥 介电特性 耗散功率 物料属性 干燥效率 
半导体芯片结温与系统热阻构成无损检测关键技术及应用
《中国科技成果》2021年第17期58-58,共1页无 冯士维 张亚民 郭春生 祝炳忠 何鑫 朱慧 刘德双 谢雪松 郑翔 李轩 
芯片作为电子系统工作的“大脑”,其有源区温度过高,是导致设备故障,甚至整个航天卫星、电网系统瘫痪的“祸首”。芯片有源区耗散功率和其散热路径上各层材料的热阻,是推高核心器件结温的“根源”,成为国防军工、航天航空及电网等“高...
关键词：国防军工 耗散功率 航天系统 可靠性保障 电子系统 系统失效 有源区 结温 
某大口径火炮身管坡膛结构优化设计被引量：3
《火炮发射与控制学报》2021年第4期74-80,共7页张鑫 于存贵 牛志鹏 梁林 邹利波 
以某大口径火炮为研究对象,应用有限元数值仿真技术建立挤进过程弹炮耦合模型,对挤进过程能量转化与耗散规律进行了研究。通过Fortran二次开发结合ABAQUS/Explicit模块,计算得到摩擦耗散功率与塑性变形功率,通过对不同坡膛锥度的挤进模...
关键词：坡膛 弹炮耦合 Fortran二次开发 耗散功率 加权优化 
NCE系列MOSFET管主要参数速查表(一)
《家电维修》2021年第1期48-50,共3页景然 
说明:(1)表中VDS(max)表示漏源极击穿电压,ID(max)表示漏源极最大直流电流,PD(max)(W)表示环境温度为25℃时的最大耗散功率,VGS(max)表示加在栅源极的最大电压,RDS(on)(typ)表示在外加一定的栅源电压(VGS)导通时,漏源极间的阻抗值。
关键词：耗散功率 击穿电压 源极 最大电压 栅源 直流电流 环境温度 阻抗值 
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