饱和电压

作品数：55被引量：8H指数：2
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基于稳态集-射极饱和电压的IGBT功率模块疲劳失效模型的研究被引量：1
《应用科学学报》2024年第6期1078-1088,共11页鹿靖 李游 
随着绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)功率模块在民用和军用领域应用的不断深入,IGBT功率模块在长时间电-热应力下的疲劳老化问题越来越突出。本文基于半导体物理和器件可靠性理论,研究IGBT功率模块封装失...
关键词：IGBT功率模块 封装老化 电-热应力 集-射极饱和电压 失效模型 寿命评估 
不同甲基丙烯酸酯单体对PDLC薄膜性能影响研究
《精细与专用化学品》2024年第12期57-62,共6页孙楠 张作为 于美娜 杨槐 
探索了甲基丙烯酸环己酯(CHMA)和甲基丙烯酸月桂酯(LMA)对聚合物分散液晶(PDLC)薄膜电光性能的影响,通过固定其他组分,分别调节CHMA或LMA对丙烯酸丁酯替代的比例设计了两组实验,以探求它们对PDLC薄膜性能的影响,同时对PDLC薄膜的电光性...
关键词：甲基丙烯酸酯 PDLC 电光性能 饱和电压 
一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
《微电子学》2024年第2期277-281,共5页黄磊 李健根 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 
集成电路与微系统全国重点实验室基金资助项目(6142802200510);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2100100);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0572);中央高校基本科研业务费资助项目(2020CDJ-LHZZ-076)。
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj...
关键词：SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压 
了解这些 就可以搞懂IGBT
《世界电子元器件》2023年第12期8-11,共4页DigiKey Barley Li 
绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,...
关键词：绝缘栅双极晶体管 功率半导体器件 功率晶体管 饱和电压 栅极驱动 开关电源 电子开关 三端 
十二烷基硫酸钠水溶液液滴在微凹槽阵列PDMS表面上的电润湿行为实验研究被引量：2
《表面技术》2023年第12期178-187,共10页廖洋波 黄先富 卢应发 余迎松 
国家自然科学基金(11572114);生态环境岩土与河湖生态修复学科引智创新示范基地(2020EJB004);广东省基础与应用基础研究基金(2023A1515011784);广东省高水平创新研究院项目(2020B0909010003)。
目的研究十二烷基硫酸钠(Sodium dodecyl sulfate,SDS)水溶液液滴在微凹槽阵列聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)表面的电润湿行为特征。方法采用注入析出法,测量含KCl的SDS水溶液液滴在微凹槽阵列非浸润表面的接触角滞后。通...
关键词：十二烷基硫酸钠 液滴 启动电压 饱和电压 表面粗糙度 接触角滞后 
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
《变频器世界》2023年第9期57-57,共1页
近日,意法半导体新系列IGBT晶体管将击穿电压提高到1350V,最高工作温度拓宽到175℃,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。新推出的STPOWERIH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数...
关键词：导通状态 耗散功率 饱和电压 击穿电压 意法半导体 晶体管 IGBT 功率转换 
晶畴尺寸对聚合物分散液晶电光性能影响分析
《塑料》2023年第3期130-134,共5页詹瑾 楼爽 盖佳林 李雪岩 黄钰婷 李未未 程光 
十三五国家重点研发计划(2016YFB302000);中央高校基本科研经费(buctrc201827);大学生创新创业项目(X202110010127)。
聚合物分散液晶(PDLC)的透光率可以由电压和温度控制,并在显示领域取得了一定的应用。深入进行PDLC理论研究对扩大其应用具有积极意义。通过聚焦聚合引发相分离法(PIPS),研究实验过程变量对聚合体系显微结构的影响,量化聚合体系显微结...
关键词：聚合物分散液晶 聚合引发相分离法 对比度 阈值电压 饱和电压 晶畴尺寸 
二硼化钛颗粒材料的电阻变化特性及其在故障限流中的应用
《高电压技术》2023年第1期188-197,共10页董恩源 朱玉 王永兴 张立岩 朱宇豪 杜广波 
国家自然科学基金(51877026)。
二硼化钛(TiB2)颗粒材料具有故障限流的潜力。为实现这个目标,对颗粒材料的限流特性进行了研究。首先对压力-电阻关系进行了分析,二者满足幂函数关系。然后制作基于颗粒材料的样机,通过试验研究了材料尺寸和机构速度对限流效果的影响,...
关键词：故障限流 颗粒物质 二硼化钛 饱和电压 电流转移 电阻变化特性 
双极结型晶体管——MOSFET的挑战者
《电子产品世界》2021年第9期21-22,共2页Thomas Bolz 
0引言数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势(图1)。
关键词：饱和电压 双极结型晶体管 开关模型 电流放大 MOSFET 替代方案 数字开关 低电流 
高压IGBT宽安全工作区设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期451-454,共4页高明超 金锐 王耀华 刘江 李立 李翠 吴军民 
国家电网有限公司总部科技项目(52060018009M)。
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高...
关键词：绝缘栅双极晶体管 饱和电压 关断损耗 反偏安全工作区 短路安全工作区 
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