李健根

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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：单片集成单片多晶硅金属化工艺淀积更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理更多>>
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
《微电子学》2024年第2期277-281,共5页黄磊 李健根 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 
集成电路与微系统全国重点实验室基金资助项目(6142802200510);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2100100);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2020jcyj-msxmX0572);中央高校基本科研业务费资助项目(2020CDJ-LHZZ-076)。
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj...
关键词：SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压 
热激励硅基双梁谐振型压力传感器
《微电子学》2010年第6期890-892,共3页梅勇 张正元 李健根 李小刚 冯志成 
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA04Z302)
针对热激励硅基谐振型压力传感器温度漂移严重的问题,提出了一种双梁硅基谐振型压力传感器结构,利用不测试压力的谐振梁感应温度对谐振梁的变化,并与测试压力的谐振梁相减,消除测试压力的谐振梁随温度变化的部分,补偿热激励硅基谐振型...
关键词：压力传感器 谐振梁 硅/硅键合 三维体加工 
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