意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效  

出　　处：《变频器世界》2023年第9期57-57,共1页The World of Inverters

摘　　要：近日,意法半导体新系列IGBT晶体管将击穿电压提高到1350V,最高工作温度拓宽到175℃,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。新推出的STPOWERIH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,饱和电压Vce(sat)很低,确保器件在导通状态下耗散功率很低。

关 键 词：导通状态 耗散功率 饱和电压 击穿电压 意法半导体 晶体管 IGBT 功率转换 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]