关断损耗

作品数：45被引量：72H指数：5
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基于半有源倍压整流的交错并联高增益Boost变换器
《太阳能学报》2024年第11期258-266,共9页梁延科 刘旭 李珊瑚 孙庆国 汤雨 
国家自然科学基金(52077055);天津市自然科学基金(22JCZDJC00950);中央引导地方项目(226Z1601G)。
提出一种电流型Boost半有源倍压整流变换器,二次侧整流桥只有一个二极管承受输出电压,其余半导体器件和变压器二次绕组电压应力为输出电压的1/2。通过降低变压器匝比和减小其寄生参数,以及使用具有较小关断损耗和低导通电阻的低压器件,...
关键词：升压变换器 高增益 电压应力 半有源倍压整流 关断损耗 
具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC双沟槽超结IGBT
《电子元件与材料》2024年第9期1071-1080,共10页吴栋 姚登浪 郭祥 丁召 
贵州省科学技术基金(黔科合基础[2020]1Y271)。
基于TCAD设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE)路径的双沟槽超结IGBT(CHE-SJ-TIGBT)结构。该器件采用肖特基和非对称超结结构,以增强器件的导通性能和阻断能力。CHE路径由金属栅极(MES)控制。CHE-SJ-TIGBT导通时,高偏置的MES栅极电压...
关键词：阻断电压 电导调制 SiC IGBT 导通压降 关断损耗 肖特基 
一种650 V微沟槽IGBT设计与优化
《微电子学》2024年第4期659-664,共6页陈冠谋 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金(62090012);四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
介绍了关于IGBT的注入增强原理,以及使用Sentaurus TCAD软件对不同Mesa宽度以及不同沟槽栅长度的器件进行了仿真优化。根据仿真结果以及第三代FS Trench设计平台,设计了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根据流片样品的...
关键词：IGBT 微沟槽绝缘栅二极管 沟槽栅 关断损耗 注入增强 
肖特基结多数载流子积累新型绝缘栅双极晶体管
《物理学报》2024年第7期325-332,共8页段宝兴 刘雨林 唐春萍 杨银堂 
陕西省杰出青年科学基金(批准号:2018JC-017)资助的课题。
绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)是现代功率半导体器件的核心,因其良好的电学特性得到了广泛的应用.本文提出了一种具有肖特基结接触的栅半导体层新型多数载流子积累模式IGBT,并对其进行特性研究和仿真分析....
关键词：绝缘栅双极晶体管 积累模式 正向导通压降 关断损耗 
18 kV 4H-SiC ESC-IGBT结构设计与特性研究被引量：1
《现代电子技术》2023年第18期47-52,共6页张莉 陈致宇 
针对碳化硅(SiC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)空穴抽取慢,导致关断损耗高的问题,文中提出一种发射极肖特基接触的18 kV 4H-SiC IGBT(ESC-IGBT)新结构。该结构在JFET区上方引入肖特基结,并将其与发射极短接,提供额外的空穴抽取路径,降低关断...
关键词：ESC-IGBT SiC IGBT 空穴抽取路径 肖特基接触工艺 栅氧可靠性 关断损耗 
宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻被引量：4
《电子与封装》2023年第1期83-95,共13页张峰 张国良 
国家自然科学基金(12142406)。
碳化硅(SiC)宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管(IGBT)是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点,是高压大功率变换器中的关键器件之一。但SiC IGBT存在导通电阻...
关键词：碳化硅 双极型 导通电阻 关断损耗 
一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT被引量：2
《电子与封装》2022年第9期64-68,共5页吴毅 夏云 刘超 陈万军 
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT),并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IGBT通过超结的P柱将集电极N+区域与P+区域隔开,消除了传统超结RC-IGBT正向导通时存在的折回现象。与传...
关键词：逆导 超结 电压折回 IGBT 导通压降 关断损耗 
一种具有部分高介电常数介质调制效应的IGBT被引量：1
《微电子学》2021年第2期246-250,共5页陈为真 程骏骥 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61604030)。
提出了一种具有高介电常数介质填充沟槽的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。分析了高介电常数介质调制效应。结果表明,与普通场阻型IGBT相比,该器件的击穿电压提高了8%,通态压降减小了8%,关断损耗降低了11%;在相同通态压降下,该器件的关断损耗...
关键词：绝缘栅双极晶体管 高介电常数 关断损耗 功率器件 
直流断路器半导体组件内母排电感对并联IGBT关断特性的影响及其结构优化被引量：2
《电网技术》2021年第1期389-398,共10页刘欣 王利桐 梁贵书 裘鹏 齐磊 
国家重点研发计划项目(2017YFB0902400);国家电网有限公司科技项目(52110418003F)。
大功率绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)混合式高压直流断路器是适应多端柔性直流输电工程发展的关键装备,优化断路器半导体组件内IGBT故障大电流的关断特性进而确保器件安全可靠运行是断路器工程的重要部分...
关键词：混合式直流断路器 杂散电感 母排结构设计 关断瞬态电压 关断损耗 动态均压均流 
一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究
《电子科技》2021年第1期60-64,共5页毛鸿凯 苏芳文 林茂 张飞 隋金池 
浙江省杰出青年基金(LR17F040001)。
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗。通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载...
关键词：击穿电压 关断损耗 4H-SIC IGBT 通态压降 Silvaco Atlas 
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