通态压降

作品数：42被引量：49H指数：4
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基于大电流通态压降法的SiC MOSFET模块结温标定方法研究被引量：2
《船电技术》2023年第7期83-88,共6页李玉生 曹瀚 李锐 吴浩伟 陈涛 彭年 
本文提出了一种应用在大电流通态压降法测量SiC MOSFET模块结温中的低自热标定方法。针对标定过程中的模块电压漂移现象,采用SiC MOSFET模块热-电耦合模型对其温升过程进行仿真并找出导致电压漂移的诱因。为了降低标定短脉冲下的通态压...
关键词：SiC MOSFET 结温监测 电压漂移 低自热标定方法 
RC IGBT通态压降折回现象改善的研究
《集成电路应用》2023年第6期4-5,共2页杨继业 潘嘉 
阐述RC IGBT是新一代的IGBT结构,可以将快速恢复二极管同时集成在IGBT芯片中。探讨P型引导区方案,结合对N集电区注入面积和剂量的优化,可以有效改善RC IGBT的通态压降折回问题。
关键词：IGBT RC IGBT 快速恢复二极管 通态压降折回 
压接型IGBT器件升温曲线测量方法被引量：1
《半导体技术》2022年第12期1014-1026,共13页钟岩 张一鸣 邓二平 谢露红 黄永章 
国家自然科学基金青年基金资助项目(52007061)。
利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因,研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法,对比了大电流通态压降(V_(CE))法和大电流阈值电压(V_(GE,th))法的测量原理,对压接型器件的适用性和测量准确度...
关键词：压接型IGBT器件 升降温等效性 升温曲线测量 大电流通态压降(V_(CE))法 大电流阈值电压(V_(GE th))法 
基于电压电流特性曲线的MMC子模块IGBT通态损耗在线计算方法被引量：7
《电力系统保护与控制》2022年第23期19-27,共9页刘黎 李康 黄萌 刘懿 
国家自然科学基金重点项目资助(51637007);国网浙江省电力有限公司科学技术项目资助(B311ZS210003)。
模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)中绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)多运行于高压条件,需采用大量程传感器对集射极电压进行测量,但会产生较大测量误差,制约了通态损耗的准确计算。因...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 模块化多电平换流器 特性曲线 通态压降 损耗计算 
碳化硅MOSFET的高温栅偏特性
《半导体技术》2022年第11期915-920,共6页崔江 王景霖 陈一凡 林华 
航空科学基金资助项目(201933052001);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(NS2021021)。
针对碳化硅(SiC)MOSFET存在的栅氧可靠性问题,对其展开高温栅偏(HTGB)试验研究。以阈值电压(V_(TH))和体二极管通态压降(V_(SD))作为特征参数,设计搭建应力及测试试验平台,研究SiC MOSFET在高温栅偏应力下的特征参数退化特性,并对短期...
关键词：碳化硅(SiC)MOSFET 高温栅偏(HTGB) 阈值电压 体二极管通态压降 恢复现象 
高压IGBT短路热点研究和性能改进被引量：1
《半导体技术》2022年第3期192-198,共7页周东海 张大华 叶枫叶 高东岳 晁武杰 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5500-202058401A-0-0-00)。
为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响。通过TCAD仿真,在IGBT处于负载短路工作期间,针对场终止(FS)层n型注入剂量和集电区硼注入剂量对IGBT芯片内部热点位置变化的影...
关键词：高压IGBT 短路 场终止(FS)层 通态压降 芯片热点 
一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究
《电子科技》2021年第1期60-64,共5页毛鸿凯 苏芳文 林茂 张飞 隋金池 
浙江省杰出青年基金(LR17F040001)。
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗。通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载...
关键词：击穿电压 关断损耗 4H-SIC IGBT 通态压降 Silvaco Atlas 
一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化
《电网技术》2020年第12期4845-4852,共8页孙海峰 蔡江 张红玉 
随着功率半导体器件的不断发展和广泛应用,绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的优越性能使其成为高压直流、光伏逆变等领域最理想的开关器件。如何在降低IGBT通态压降、工作损耗、开关损耗的同时提高器件阻断电...
关键词：IGBT 延伸浮空P基区 阻断电压 通态压降 工作损耗 关键参数 
基于大电流通态压降的IGBT功率模块结温监测方法的研究被引量：6
《电源学报》2020年第4期77-84,共8页柴晓光 宁圃奇 曹瀚 温旭辉 
国家重点研发计划资助项目(2016YFB01006000);中国科学院前沿科学重点研究资助项目(QYZDB-SSW-JSC044)。
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素。结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可靠性,降低成本。基于此,提出一种基于大电流通态压降的IGBT功率模块结温监测...
关键词：结温监测 热敏电参数 大电流通态压降 
基于增强型沟槽栅技术的高性能3300V IGBT被引量：1
《大功率变流技术》2017年第5期65-69,共5页周飞宇 宁旭斌 Luther Ngwendson 肖强 Ian Deviny 戴小平 
国家科技重大专项02专项(2015ZX02301)
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高温(Tj=150℃)工况下,芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面...
关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 增强型沟槽栅 通态压降 关断安全工作区 功率密度 
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