高压IGBT

作品数：50被引量：132H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：王彩琳姬世奇鲁挺袁立强赵争鸣更多>>
相关机构：电子科技大学西安交通大学华北电力大学株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关期刊：《电力电子》《电源世界》《电力电子技术》《军民两用技术与产品》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高压IGBT封装硅凝胶材料高温和热老化绝缘特性研究被引量：1
《绝缘材料》2023年第12期1-8,共8页姚茗瀚 江心宇 杨紫月 李凯旋 莫申扬 童颜 张博雅 李兴文 
国网江苏省电力有限公司电力科学研究院科技项目(5500-202240106A-1-1-ZN)。
在高压IGBT器件中,新兴的宽禁带半导体芯片逐渐代替了传统的硅基半导体芯片,其高功率密度特性会导致电力电子模块的工作温度急剧上升。硅凝胶作为高压IGBT器件的封装用绝缘材料,其绝缘性能面临高温和热老化的挑战。为了研究高温和热老...
关键词：高压IGBT模块 绝缘封装 有机硅凝胶 高温 热老化 
高压IGBT雪崩鲁棒性的研究
《物理学报》2023年第7期400-409,共10页杨武华 王彩琳 张如亮 张超 苏乐 
陕西省教育厅科研计划项目(批准号:22JK0484);西安理工大学教师博士科研启动经费(批准号:103-451121007);陕西省科学技术厅自然科学基础研究计划(批准号:2023-JC-QN-0764);陕西省重点研发计划子课题(批准号:2021LLRH-02)资助的课题.
随着绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)电压等级的提升和电流容量的增大,雪崩效应已成为限制器件安全工作区(safe operating area,SOA)的重要因素.雪崩发生后IGBT背面p+n结的空穴注入是其雪崩效应区别于其他器...
关键词：IGBT 雪崩效应 电流丝 鲁棒性 
压接型高压IGBT门极驱动信号演化规律及失效形式研究被引量：1
《高压电器》2023年第1期43-48,共6页张健 余超耘 占草 代建港 祝令瑜 
压接型高压IGBT是柔性直流输电用模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)中的核心器件,其在长期运行中逐渐发生热老化并最终失效,影响着MMC的运行性能。利用压接型高压IGBT的门极驱动信号演化规律监测器件状态对于是实现...
关键词：模块化多电平换流器 功率循环 压接型IGBT 门极驱动信号 门极氧化层裂纹 
高压IGBT芯片换流运行的热稳定性分析
《华北电力大学学报（自然科学版）》2022年第5期62-70,共9页范迦羽 郑飞麟 和峰 王耀华 彭程 李学宝 崔翔 
国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助项目(U1766219);国家电网有限公司科技项目(520201190095)。
为保证高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件换流运行时的热稳定性,需要根据IGBT芯片的电热特性和器件的散热设计,确定芯片运行的热稳定工作区,从而指导器件的运行条件控制。虽然针对芯片动静态损耗的...
关键词：高压IGBT芯片 热稳定性 换流运行 
高压IGBT短路热点研究和性能改进被引量：1
《半导体技术》2022年第3期192-198,共7页周东海 张大华 叶枫叶 高东岳 晁武杰 
国家电网有限公司总部管理科技项目(5500-202058401A-0-0-00)。
为提升高压IGBT的抗短路能力,进一步改善短路与通态压降的矛盾关系,研究了IGBT背面工艺对抗短路能力的影响。通过TCAD仿真,在IGBT处于负载短路工作期间,针对场终止(FS)层n型注入剂量和集电区硼注入剂量对IGBT芯片内部热点位置变化的影...
关键词：高压IGBT 短路 场终止(FS)层 通态压降 芯片热点 
200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
高压IGBT芯片开关过程栅分布效应仿真研究被引量：3
《机车电传动》2021年第5期53-57,共5页孙琬茹 王耀华 刘江 高明超 李立 李翠 聂瑞芬 金锐 
国家电网有限公司总部科技项目(5500-202058473A-0-0-00)。
高压IGBT在导通或关断时是先从栅焊盘处获得驱动信号,然后再依靠多晶硅层通向芯片的各个区域。由于多晶硅层形成的栅分布电阻效应使得芯片内元胞对栅驱动信号的反应时间不同,芯片内各个元胞不能同时开启或关断,因此IGBT芯片在开关过程...
关键词：IGBT 电流集中效应 栅极电阻 栅分布电阻 温度分布 
柔直用压接型高压IGBT导通压降演化规律研究被引量：4
《高压电器》2021年第8期78-85,共8页张健 余超耘 刘琛硕 薛鑫 占草 祝令瑜 
中国南方电网公司科技项目(GDKJXM20180501)。
MMC子模块中的高压功率器件绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在长期运行工况下逐渐发生热老化,最终导致器件失效。因此,研究IGBT的状态监测技术对于MMC的可靠运行具有重要意义。目前的文献压接型IGBT导通压...
关键词：模块化多电平换流器 功率循环 老化机理 压接型绝缘栅双极型晶体管 结温计算 
高压IGBT劣化机理分析及状态监测技术研究综述被引量：11
《高电压技术》2021年第3期903-916,共14页祝令瑜 占草 刘琛硕 代建港 汲胜昌 
直流输电技术国家重点实验室开放基金(SKLHVDC-2019-KF-05)。
基于模块化多电平换流器(MMC)的柔性直流输电(VSC-HVDC)技术在电力传输等领域得到广泛应用。高压IGBT的劣化机理分析及状态监测技术对于保证MMC的可靠性具有重要意义。高压IGBT有焊接型和压接型两种不同的封装形式。目前焊接型IGBT的劣...
关键词：高压IGBT MMC VSC-HVDC 劣化机理 状态监测 压接型IGBT 
高压IGBT线性变窄场限环终端设计
《半导体技术》2021年第3期223-228,共6页叶枫叶 张大华 李伟邦 董长城 
为使3300 V及以上电压等级绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作结温达到150℃以上,设计了一种具有高结终端效率、结构简单且工艺可实现的线性变窄场限环(LNFLR)终端结构。采用TCAD软件对这种终端结构的击穿电压、电场分布和击穿电流等进行...
关键词：高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 终端结构 线性变窄场限环(LNFLR) 场限环场板(FLRFP) 击穿电压 电场分布 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部