高国智

作品数：2被引量：2H指数：1
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200 mm超厚层IGBT用硅外延片滑移线控制被引量：2
《半导体技术》2022年第2期122-125,151,共5页袁肇耿 刘永超 张未涛 高国智 赵叶军 
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法。使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线。从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的...
关键词：高压IGBT 外延 滑移线 平板硅外延炉 凹槽深度 
肖特基二极管用硅外延片过渡区控制研究
《科技传播》2016年第8期137-138,共2页侯志义 高国智 王铁刚 
肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,具有正向压降小、开关频率高等特点,高性能的肖特基二极管器件需要高质量的外延材料,生长出高质量的外延层成了制作高频肖特基二极管的关键。
关键词：肖特基 二极管实验 工艺改善 
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