终端结构

作品数：71被引量：132H指数：6
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复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
《功能材料与器件学报》2025年第1期56-63,共8页马豪威 朱敏敏 
福建省科技厅对外合作重点项目(No.2022I0006)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本...
关键词：Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压 
垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计
《功能材料与器件学报》2024年第5期233-238,共6页张峻 郑理 沈玲燕 周学通 苏杭 程新红 
国家重点研发计划(2022YFB3604300,2022YFB3604301,2022YFB3604303);国家自然科学基金(11705263);上海市科委项目(23511102602);中国科学院青年创新促进会;集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)
垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环...
关键词：垂直GaN-SBD 复合终端结构 场限环 场板 击穿电压 
一种沟槽-场限环复合终端结构的设计
《微电子学》2024年第1期122-126,共5页高兰艳 冯全源 李嘉楠 
国家自然科学基金资助项目(62090012);四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 复合终端 场限环 沟槽设计 功率器件 
一种沟槽型SGTMOSFET终端结构
《中国集成电路》2023年第12期40-44,共5页湛涛 冯全源 
为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了1...
关键词：屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应晶体管 沟槽终端 耗尽层 击穿电压 
基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究
《光源与照明》2023年第9期59-61,共3页陈志盛 廖淋圆 曾荣周 吴振珲 阳治雄 
湖南省学位与研究生教育改革项目“电子信息专业研究生校企联合培养机制的研究”(2020JGYB206)。
击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布...
关键词：PIN二极管 终端结构 击穿电压 电场分布 
多重场限环型终端结构的优化设计被引量：1
《电子与封装》2023年第2期79-83,共5页卓宁泽 赖信彰 于世珩 
江苏省重点研发计划(BE2020010);江北新区重点研发计划(ZDYF20200107)。
开展了硅基金属氧化物场效应晶体管用多重场限环型终端结构的优化设计工作。研究了体区注入剂量、场限环宽度、主结宽度对击穿电压的影响规律,并对其机理进行了分析。通过仿真获得了器件内部的电场、电势和碰撞电离率分布。通过逐步优...
关键词：场限环 终端结构 硅基金属氧化物场效应晶体管 击穿电压 
10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
《电源学报》2023年第1期202-207,共6页冯旺 刘新宇 田晓丽 杨雨 郑昌伟 杨成樾 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0102302);广东省重点研发计划资助项目(2019B090917010)。
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,...
关键词：碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压 
高压SiC MOSFET研究现状与展望被引量：3
《电子与封装》2023年第1期109-120,共12页孙培元 孙立杰 薛哲 佘晓亮 韩若麟 吴宇薇 王来利 张峰 
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。回顾了高压SiC MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步...
关键词：SIC MOSFET 品质因数 终端结构 
家电IGBT器件HTRB可靠性提升研究
《电子元器件与信息技术》2022年第10期50-54,共5页符超 赵燕 谢梓翔 张佳佳 龚子雄 
IGBT作为家电控制器的核心功率器件,其对可靠性的要求很高,而HTRB实验是验证IGBT性能最核心的可靠性试验之一。本文通过对IGBT 150℃的HTRB实验失效品进行分析,研究其失效机理,找出其薄弱环节,过程中结合仿真手段针对IGBT钝化层和终端...
关键词：HTRB 可靠性提升 IGBT 终端结构 钝化层 
基于海上无人值守的靶载终端结构系统研究
《遥测遥控》2022年第5期11-21,共11页王毅亮 郭凯 
国防重点项目(水面靶标综合遥测遥控系统)。
针对海洋恶劣环境,研究了一种适用于无人值守的靶载终端结构系统。通过建立靶载终端散热数学模型得到上下插齿式最优散热结构,提出了一种基于高度差的双层回旋式密封结构及方法。分析了靶载终端呼吸效应的产生机理及解决措施,研制了抗...
关键词：无人值守 靶载终端 上下插齿式散热 双层回旋式密封结构 呼吸效应 缓冲振动平台 
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