场限环

作品数：73被引量：87H指数：6
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250V VDMOS场限环终端的抗单粒子加固研究
《微电子学与计算机》2025年第1期117-124,共8页唐新宇 徐海铭 廖远宝 张庆东 
基于Sentaurus TCAD二维数值仿真方法,对N沟道250 V功率垂直双扩散金属氧化物半导体器件(Vertical Double-diffsed:Metal-Oxide-Semiconductor,VDMOS)的场限环(Field Limit Ring,FLR)终端单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)机理进行...
关键词：功率VDMOS 单粒子 结终端 场限环 缓冲层 
垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计
《功能材料与器件学报》2024年第5期233-238,共6页张峻 郑理 沈玲燕 周学通 苏杭 程新红 
国家重点研发计划(2022YFB3604300,2022YFB3604301,2022YFB3604303);国家自然科学基金(11705263);上海市科委项目(23511102602);中国科学院青年创新促进会;集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)
垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环...
关键词：垂直GaN-SBD 复合终端结构 场限环 场板 击穿电压 
一种沟槽-场限环复合终端结构的设计
《微电子学》2024年第1期122-126,共5页高兰艳 冯全源 李嘉楠 
国家自然科学基金资助项目(62090012);四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
为了改善硅功率器件击穿电压性能以及改善IGBT电流的流动方向,提出了一种沟槽-场限环复合终端结构。分别在主结处引入浮空多晶硅沟槽,在场限环的左侧引入带介质的沟槽,沟槽右侧与场限环左侧横向扩展界面刚好交接。结果表明,这一结构改善...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 复合终端 场限环 沟槽设计 功率器件 
基于多场限环终端与结终端扩展技术的新型复合终端结构的研究
《光源与照明》2023年第9期59-61,共3页陈志盛 廖淋圆 曾荣周 吴振珲 阳治雄 
湖南省学位与研究生教育改革项目“电子信息专业研究生校企联合培养机制的研究”(2020JGYB206)。
击穿电压是衡量功率器件性能的一个重要指标,场限环终端结构能有效提高PIN二极管的击穿电压,文章基于FLR终端结构基础,在每个场限环的边缘引入JTE扩展层,提出了一种新型复合终端结构的PIN二极管,研究了NCT结构PIN对击穿电压和电场分布...
关键词：PIN二极管 终端结构 击穿电压 电场分布 
多重场限环型终端结构的优化设计被引量：1
《电子与封装》2023年第2期79-83,共5页卓宁泽 赖信彰 于世珩 
江苏省重点研发计划(BE2020010);江北新区重点研发计划(ZDYF20200107)。
开展了硅基金属氧化物场效应晶体管用多重场限环型终端结构的优化设计工作。研究了体区注入剂量、场限环宽度、主结宽度对击穿电压的影响规律,并对其机理进行了分析。通过仿真获得了器件内部的电场、电势和碰撞电离率分布。通过逐步优...
关键词：场限环 终端结构 硅基金属氧化物场效应晶体管 击穿电压 
高压VDMOS结终端技术研究
《机电元件》2023年第1期20-23,共4页单长玲 习毓 丁文华 
本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构,经封测及可靠性验证,性能稳定。
关键词：场板 场限环 截止环 结终端扩展 横向变掺杂 复合终端 
10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
《电源学报》2023年第1期202-207,共6页冯旺 刘新宇 田晓丽 杨雨 郑昌伟 杨成樾 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0102302);广东省重点研发计划资助项目(2019B090917010)。
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,...
关键词：碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压 
具有多场限环结构的SiC LDMOS击穿特性研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第1期50-56,共7页彭华溢 汪再兴 高金辉 保玉璠 
甘肃省科技厅计划项目(21YF5GA058)。
场限环终端结构因能够显著提高击穿电压而被广泛应用于半导体功率器件。基于数值模拟软件建立了具有多场限环结构的SiC LDMOS仿真模型。分别仿真场限环各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系。提取器件击穿时的表面电场,从表面电场...
关键词：SiC LDMOS 场限环 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布 
一种复合终端逆阻IGBT数值仿真分析被引量：2
《中国电力》2022年第9期98-104,共7页崔磊 杨通 张如亮 马丽 李旖晨 
国家重大研发计划资助项目(2015ZX02301002);国网智能电网研究院有限公司科技项目(53ZCGB190001)。
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)本身不具有反向阻断能力,因此在电路中通常与二极管组合使用。为降低使用成本,减小寄生电感,续流二极管与IGBT通过工艺集成在同一芯片上,由此提出了具有反向阻断能力的逆阻...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 逆阻 场限环 复合终端 双掺杂场限环 
3300 V-FS-IGBT击穿特性及其相关工艺的研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2022年第3期265-271,共7页王学良 钱敏 
对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD...
关键词：场截止绝缘栅双极型晶体管 场限环 场板 场限环+场板 场限环+多级场板 
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