高压VDMOS结终端技术研究  

Research on High Voltage VDMOS Junction Terminal Technology

作　　者：单长玲 习毓 丁文华 SHAN Chang-ling;XI Yu;DING Wen-hua

机构地区：[1]西安卫光科技有限公司,陕西西安710065

出　　处：《机电元件》2023年第1期20-23,共4页Electromechanical Components

摘　　要：本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构,经封测及可靠性验证,性能稳定。

关 键 词：场板 场限环 截止环 结终端扩展 横向变掺杂 复合终端 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]