场板

作品数：157被引量：167H指数：6
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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
《半导体技术》2025年第2期134-140,共7页康怡 刘东 卢山 鲁啸龙 胡夏融 
四川省科技计划项目(2021YFQ0051)。
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n...
关键词：横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L型场板 功率品质因数 
垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计
《功能材料与器件学报》2024年第5期233-238,共6页张峻 郑理 沈玲燕 周学通 苏杭 程新红 
国家重点研发计划(2022YFB3604300,2022YFB3604301,2022YFB3604303);国家自然科学基金(11705263);上海市科委项目(23511102602);中国科学院青年创新促进会;集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)
垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环...
关键词：垂直GaN-SBD 复合终端结构 场限环 场板 击穿电压 
栅场板型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件单粒子烧毁仿真研究
《现代应用物理》2024年第3期120-131,共12页刘涵勋 汪柯佳 曹荣幸 韩丹 王祖军 曾祥华 薛玉雄 
强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室基金资助项目(SKLIPR2115)。
设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2...
关键词：Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管 栅场板 单粒子烧毁 TCAD仿真 
具有微型倾斜栅场板的高频AlGaN/GaN HEMT器件结构研究
《空间电子技术》2024年第4期27-33,共7页黄真通 宓珉瀚 王鹏飞 马晓华 郝跃 
科技部研发项目(编号:2023YFB3609604);广州市重点研发计划(编号:202103020002)。
较小的器件尺寸可以帮助GaN基HEMT实现更高的频率特性,但会使器件内部电场集聚,引起击穿电压降低,严重限制器件的高频功率特性。为了解决上述问题,采用微型倾斜栅场板,可以在保持频率特性的情况下提升器件的击穿电压。通过对具有不同关...
关键词：AlGaN/GaN HEMTs 高频 微型倾斜栅场板 约翰逊品质因数 大信号仿真 
5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制
《通讯世界》2024年第6期28-30,共3页闫锐 默江辉 王川宝 付兴中 张力江 崔玉兴 
为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封...
关键词：GaN HEMT 功率器件 场板 
栅场板对AlGaN/GaN HEMT击穿特性的调控
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第1期187-193,共7页王进军 徐晨昱 杨嘉伦 刘宇 冯岩 张世奇 
陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
栅场板对提升AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)击穿电压的物理机理以及相关理论问题缺乏深入的研究。本文通过在传统的AlGaN/GaN HEMT结构中引入栅场板来调控器件内部的电场分布以提高器件的击穿电压,并基于Silvaco TCAD软件对器件进...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 击穿特性 峰值电场 栅场板 
U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图 代红丽 周春行 陈威宇 
天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...
关键词：LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 
金刚石肖特基二极管的研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2023年第5期732-745,共14页彭博 李奇 张舒淼 樊叔维 王若铮 王宏兴 
国家重点研发计划(2021YFB3602100);国家自然科学基金(U21A2073,62074127)。
金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功...
关键词：金刚石 肖特基二极管 金属-半导体接触 场板 钝化层 边缘终端 
基于T型阳极场板下梯度掺杂的多通道AlGaN/GaN肖特基二极管的研究
《真空电子技术》2023年第2期45-50,共6页李洪亮 王策 黄卡玛 
为了降低微波无线能传输系统(MWPT)整流电路模块的能量损耗,使用AlGaN/GaN异质结肖特基二极管(SBD)可以有效地降低整流损耗。本文设计了一种高性能多通道SBD结构,其具有四个周期性重复AlGaN/GaN的异质结构。为了提高器件的反向特性,使用...
关键词：ALGAN/GAN 导通电阻 击穿电压 掺杂 肖特基二极管 
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