王川宝

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：电极场板半导体芯片半导体微带电路更多>>
发文领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊：《通讯世界》《半导体技术》《微纳电子技术》《世界有色金属》更多>>
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5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制
《通讯世界》2024年第6期28-30,共3页闫锐 默江辉 王川宝 付兴中 张力江 崔玉兴 
为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封...
关键词：GaN HEMT 功率器件 场板 
碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
《微纳电子技术》2024年第5期157-161,共5页王川宝 默江辉 朱延超 王帅 张力江 付兴中 
在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常...
关键词：SiC晶圆 铝薄膜 磁控溅射 异常结晶 溅射温度 
微孔互连无氰电镀金工艺研究被引量：1
《世界有色金属》2016年第5期148-150,共3页王川宝 胡泽先 王伟 
针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题，使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验，研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异，分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连...
关键词：无氰镀金 互连微孔 喷镀电镀 
晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究被引量：3
《世界有色金属》2016年第4期173-175,共3页王川宝 王强栋 刘相伍 
针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理...
关键词：无氰镀金 镀层均匀性 晶圆 均匀性挡板 
通孔内镀金工艺研究被引量：1
《半导体技术》2014年第6期438-441,共4页刘相伍 王川宝 崔玉兴 付兴昌 
针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因。喷液电镀台最佳工艺条件:直...
关键词：大功率芯片 通孔 背面镀金 喷液电镀 通孔电阻 
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