5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制  

作　　者：闫锐[1] 默江辉[1,2] 王川宝 付兴中[1] 张力江[1] 崔玉兴[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051 [2]北京大学,北京100871

出　　处：《通讯世界》2024年第6期28-30,共3页Telecom World

摘　　要：为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术,成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试,在工作电压为48V、工作频段为740MHz~960MHz的条件下,实现输出功率达到708W,带内功率附加效率最高达77.8%,功率增益大于16.5dB,抗失配能力达到5:1的性能指标。

关 键 词：GaN HEMT 功率器件 场板 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]