导通电阻

作品数：853被引量：623H指数：10
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张波乔明李泽宏郝跃任敏更多>>
相关机构：电子科技大学西安电子科技大学上海华虹宏力半导体制造有限公司东南大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN HEMT器件动态导通电阻的测试电路
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期317-321,339,共6页刘梦丽 李胜 马岩锋 刘斯扬 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(62204034);中国博士后科学基金资助项目(2022TQ0061)。
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的异质外延工艺导致GaN HEMT器件存在陷阱效应,造成器件在连续瞬态工作条件下的导通电阻产生动态变化(简称动态导通电阻),并高于静态条件下的理论值,对功率系统稳定性造成危害,因此需对GaN HEMT器...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs) 陷阱效应 动态导通电阻 钳位电路 
具有超低比导通电阻的双漂移区双导通路径新型横向双扩散金属氧化物半导体
《物理学报》2025年第8期221-228,共8页段宝兴 任宇壕 唐春萍 杨银堂 
本文提出了一种具有双漂移区和双导通路径的新型横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,实现了超低比导通电阻(R_(on,sp)).其漂移区采用P型和N型纵向交替所构成的双漂移区结构,并引入平面栅和槽型栅分别控制P型和N型漂移区,使得器件能...
关键词：双漂移区 双导通路径 比导通电阻 击穿电压 
晶圆级导通电阻测试精度的改进技术研究
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2025年第3期163-166,共4页张亦锋 卢旭坤 周茂 
随着半导体技术的发展,对低导通电阻晶圆的精确测量需求日益增长。传统的晶圆级导通电阻测试方法存在接触电阻影响和测量精度不足的问题。因此研究提出了一种改进的4T测试技术,通过辅助管芯实现真正的四端连接,以消除接触电阻的影响,从...
关键词：晶圆级测试 导通电阻 半导体器件 测试精度 测试精度 
不同接地导通电阻测试仪的校准方法研究
《中文科技期刊数据库(文摘版)工程技术》2025年第3期170-173,共4页刘静 
本研究针对接地导通电阻测试仪的校准方法进行了系统比较和评估,采用了两种不同的标准器具:国产模拟交直流标准电阻器(MJZ-25)和进口多功能电气安全校准器(5320A)。在100 mΩ校准点、测量电流为25 A的条件下,通过对10次重复测量数据的...
关键词：接地 导通电阻测试仪 校准方法 
MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管
《人工晶体学报》2025年第2期312-318,共7页郁鑫鑫 沈睿 于含 张钊 赛青林 陈端阳 杨珍妮 谯兵 周立坤 李忠辉 董鑫 张洪良 齐红基 陈堂胜 
国家重点研发计划(2022YFB3605504)。
本文基于Ga_(2)O_(3)MOCVD外延材料,开展了Ga_(2)O_(3)场效应晶体管的研制和性能研究。为了降低器件的导通电阻,优化了外延层设计,将掺杂浓度提高至1×10^(18) cm^(-3)以上。通过长沟道器件提取的外延层的电子浓度和场效应迁移率分别为2...
关键词：氧化镓 MOCVD外延 掺杂 比导通电阻 击穿电压 功率优值 
富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证,性能具有显著国际竞争优势
《人工晶体学报》2024年第12期2205-2205,共1页齐红基 
近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在第一轮器件验证基础上,优化分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)工艺,大幅提升外延片性能,基于此外延片研制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)横向功率器件,其电流密度提...
关键词：外延片 分子束外延 氧化镓 比导通电阻 半导体材料 国际竞争优势 国家重点研发计划 富加 
碳化硅功率模块导通电阻和导通压降的测试设备优化
《现代信息科技》2024年第24期1-6,共6页李文强 
碳化硅功率模块因其在电力电子领域的卓越性能而备受关注,主要包括高频、高压、耐高温、快速开关和低损耗等特点。为了确保碳化硅功率模块在应用中的可靠性,其静态特性的研究十分重要。因此,针对已经在商用的一款碳化硅功率模块,提出一...
关键词：碳化硅功率模块 静态测试 导通电阻 导通压降 
GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?
《变频器世界》2024年第12期37-41,共5页
氮化晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高、导通电阻小、寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数、极快开关速度使其特别...
关键词：功率半导体 寄生参数 英飞凌科技 氮化镓晶体管 开关速度 导通电阻 开关电源 电气工程师 
基于连续双脉冲测试的GaN HEMT动态导通电阻变化及测量方法
《半导体技术》2024年第10期920-925,共6页陈耀峰 
集电线路智能化辅助巡检关键技术研究与应用项目(042300006427)。
实际应用中,GaN HEMT的动态导通电阻会随着工作电压、工作温度等因素的变化而改变,相同温度下的实际值常与静态测量结果有所差异。由于实验条件及测量方法不同,同一型号的器件往往会出现不一致的测试结果,对应用工况的设计与监测带来了...
关键词：GaN HEMT 动态导通电阻 连续双脉冲测试 差分计算 机理分析 
前沿技术新型40OVSiCMOSFET用于高效三电平工业电机驱动
《变频器世界》2024年第8期44-45,共2页
400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOSFET技术开关损耗低、导通电阻小,非常适合三电平拓扑结构。本文简要介绍了该器件的设计理念,并研究了其在ANPC拓扑的三相交流...
关键词：导通电阻 三相交流 超级结 电机驱动 三电平拓扑 FET 开关损耗 驱动器 
全选清除导出
共85页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部