前沿技术新型40OVSiCMOSFET用于高效三电平工业电机驱动  

出　　处：《变频器世界》2024年第8期44-45,共2页The World of Inverters

摘　　要：400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。400VSiCMOSFET技术开关损耗低、导通电阻小,非常适合三电平拓扑结构。本文简要介绍了该器件的设计理念,并研究了其在ANPC拓扑的三相交流通用工业驱动器中的性能,该驱动器工作在高达750VDC的输入电压下。

关 键 词：导通电阻 三相交流 超级结 电机驱动 三电平拓扑 FET 开关损耗 驱动器 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]