寄生参数

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电磁干扰滤波器中共模扼流圈的高频模型
《电工技术学报》2025年第6期1805-1815,共11页兰宇杰 曾晓辉 陈为 陈庆彬 
国家自然科学基金(51777036);《台达电力电子科教发展计划》资助项目。
在电磁干扰(EMI)滤波器的设计和功率变换器的EMI噪声预测中,共模扼流圈的精确建模至关重要。然而,在高频下受共模扼流圈寄生参数的影响,现有模型难以准确表征其滤波特性。该文分析现有模型的缺点在于无法完整反映共模扼流圈的内部电场特...
关键词：电磁干扰 滤波器 共模电感 寄生参数提取 建模 
磁集成趋势,平面变压器寄生参数该如何解决?
《磁性元件与电源》2025年第2期60-60,62,64,66,共4页丘水林 
在当今科技发展的浪潮中,磁集成已成为产业链热议的关键话题。其能否成功落地,不仅仅取决于成本、效率、可靠性和体积等常规因素,更与终端应用及系统功能集成方向紧密相关。深入了解终端市场系统的集成走向,无疑是开发磁集成产品的基石。
关键词：当今科技发展 终端市场 终端应用 磁集成 产业链 功能集成方向 
浮动式Boost DC-DC变换器共模噪声分析
《电工技术学报》2025年第2期477-487,503,共12页王一帆 刘雪山 奉榆杰 
国家自然科学基金资助项目(62371320)。
目前,针对非隔离型DC-DC变换器的共模噪声研究主要集中在通过运用噪声抵消、疏导等方法减小变换器的传导噪声,对于输出浮动式DC-DC变换器的共模噪声产生机理尚无明确的分析和研究。首先,该文通过分析输出浮动式Boost DC-DC变换器在正常...
关键词：共模噪声 输出浮动式变换器 等效模型 寄生参数 
应用于超大面阵高速图像传感器的双反馈环路列级缓冲技术研究
《电子学报》2025年第1期94-104,共11页刘绥阳 郭仲杰 许睿明 余宁梅 
国家自然科学基金(No.62171367);陕西省创新能力支撑计划项目(No.2022TD-39)。
列级读出电路是目前提升平面图像传感器读出效率最为明显的方式,但是对于亿级像素超大面阵规模下的大数据大负载高速读出,列级到输出级并串转换中的列级缓冲设计面临极大的挑战.本文提出一种基于双反馈环路的列级缓冲设计方法,该方法通...
关键词：图像传感器 帧率提升 高速读出 列级缓冲 输出总线 寄生参数 
一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
《半导体技术》2024年第12期1135-1143,共9页熊泰来 杨亚兰 徐卫刚 毕悦 林轩 曹太强 阳小明 
成都市重点研发支撑计划“揭榜挂帅”项目(2023-JB00-00002-SN);成都市重点研发支撑计划技术创新研发项目(2024-YF08-00016-GX,2024-YF08-00033-GX,2024-YF08-00041-GX,2024-YF08-00136-GX)。
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加...
关键词：SiC MOSFET 寄生参数 半桥电路 有源驱动 串扰抑制 负压关断 
寄生参数对逆变器共模干扰的影响
《船舶工程》2024年第12期110-117,147,共9页熊峰 王良秀 张元玮 胡斌 
为了有效抑制共模干扰信号,通过理论分析逆变器中共模干扰形成的原因以及通过逆变器的结构分析逆变器中存在的寄生参数,并且通过电路原理和数学研究共模电压、共模电流与不同寄生参数的关系,得到了对交流测共模电流以及共模电压影响突...
关键词：共模干扰 逆变器建模 寄生参数 共模抑制 
SiC 3L-ANPC电路开关瞬态过程机理与解析建模方法研究
《中国电机工程学报》2024年第24期9820-9833,I0026,共15页王莉娜 常峻铭 袁泽卓 武在洽 
国家自然科学基金项目(52177167,51877005);航空科学基金项目(2019ZC051012)。
碳化硅三电平有源中点箝位(silicon carbide three level active neutral point clamped,SiC 3L-ANPC)变换器在中压大容量应用中具有突出优势,但与传统两电平变换器相比,其杂散参数相对较多,高速开关瞬态中较高的du/dt、di/dt与多杂散...
关键词：碳化硅MOSFET 开关瞬态 三电平有源中点箝位 解析模型 寄生参数 
基于储能三电平变流器并联短路振荡的IGBT多参数优化策略
《半导体技术》2024年第12期1051-1060,共10页骆健 王红波 何鑫 郑婷婷 
随着储能变流器(PCS)功率提升,通常采用IGBT并联模式实现大电流输出,针对多功率器件并联易引起短路振荡问题,分别从振荡机理分析、仿真模拟和实验验证进行了研究。器件电容随集电极-发射极和栅极-发射极电压变化而变化,而变化的寄生电...
关键词：IGBT 储能变流器(PCS) 短路振荡 谐振 寄生参数 输入电容 米勒电容 
寄生参数对脉冲变压器输出波形影响:分析与验证
《磁性材料及器件》2024年第6期24-31,共8页刘煌铭 张丽萍 肖长青 陈为 
国家自然科学基金项目(51777036)。
根据快速响应脉冲变压器的技术指标,采用等效电路解析方法,从理论上分析了变压器寄生参数对输出脉冲波形的上升沿、平顶以及下降沿阶段的影响规律,发现变压器漏感和寄生电容越小,输出脉冲波形的延迟时间越短;漏感和寄生电容越大,输出脉...
关键词：脉冲变压器 寄生参数 等效电路 有限元仿真 输出波形 
GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?
《变频器世界》2024年第12期37-41,共5页
氮化晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高、导通电阻小、寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数、极快开关速度使其特别...
关键词：功率半导体 寄生参数 英飞凌科技 氮化镓晶体管 开关速度 导通电阻 开关电源 电气工程师 
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