氮化镓晶体管

作品数：35被引量：10H指数：2
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GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?
《变频器世界》2024年第12期37-41,共5页
氮化晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高、导通电阻小、寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数、极快开关速度使其特别...
关键词：功率半导体 寄生参数 英飞凌科技 氮化镓晶体管 开关速度 导通电阻 开关电源 电气工程师 
垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况被引量：6
《科学通报》2023年第14期1727-1740,共14页李博 尹越 阳志超 刘新科 李京波 
国家自然科学基金(61974144,62004127);广东省重点领域研究发展计划(2020B010174003);广东省杰出青年科学基金(2022B1515020073);深圳市科学技术基金(JSGG20191129114216474)资助。
氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛...
关键词：氮化镓 外延生长 垂直氮化镓晶体管 氮化镓驱动集成电路 
一种用于氮化镓晶体管建模的TRL校准方法
《微波学报》2022年第4期63-66,共4页张丽 刘太君 叶焱 许高明 
国家自然科学基金(U1809203,62071264)。
直通-反射-延迟线(TRL)校准相对于短路-开路-负载-直通(SOLT)校准是一种更加准确且易于实现的校准方法,尤其适用于二端口及多端口的非同轴测量。文中针对Wolfspeed公司的氮化镓晶体管CGH40010F的S参数测量问题,分析讨论了TRL校准在网络...
关键词：直通-反射-延迟线校准 非同轴测量 氮化镓晶体管 矢量网络分析仪 误差盒模型 
一种基于氮化镓晶体管的BUCK变换器被引量：2
《现代信息科技》2021年第5期73-75,共3页谭超 王鑫 李博 
氮化镓(GaN)材料具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势,通过对比氮化镓晶体管和硅功率器件参数,说明了氮化镓器件在工作频率和电路效率方面的优势。使用氮化镓晶体管替代硅基功率器件,设计了一款带有同步整流的BUCK变换器。测试结果显...
关键词：氮化镓 BUCK 电源变换器 
一种基于氮化镓晶体管的DC/DC电源模块
《通信电源技术》2020年第11期36-38,共3页王鑫 徐林 刘阔 
随着电力电子技术的进步,开关电源越来越趋向于高频化和小型化。继硅和砷化镓之后出现的第三代半导体材料氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有临界击穿电场大、电子迁移率高及导热率高等特点。氮化镓晶体管适用于高频、高压、高温...
关键词：氮化镓 DC/DC 电源模块 高频 
金刚石热管理技术提高了氮化镓晶体管的功率
《半导体信息》2019年第6期10-11,共2页
据《今日半导体》2019年5月2日报道,美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称,他们记录了氮化铝镓(AlGaN)势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。研究人员用金刚石替换外延生长III族氮化物器件层的硅衬底,来实现晶体管的髙功...
关键词：氮化镓晶体管 外延生长 硅衬底 氮化铝镓 功率密度 GaN 热管理技术 金刚石 
基于GaNFET的超窄脉冲高压调制器技术研究
《信息化研究》2019年第4期45-50,56,共7页杨军 张磊 石浩 
随着新材料新器件的不断发展,宽禁带功率半导体的出现,推动了各个产业的进步,氮化镓晶体管(GaNFET)由于其寄生电容小、导通内阻小、无反向寄生二极管,具有开关速度快、频率高、开关损耗小的性能优势。文章将GaNFET首次应用在超窄脉冲的...
关键词：全固态调制器 氮化镓晶体管 超窄脉冲 高压脉冲 直耦变压器 
基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析被引量：1
《电源学报》2019年第3期83-90,共8页姚盛秾 韩金刚 李霞光 范辉 汤天浩 
较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振...
关键词：增强型氮化镓晶体管(GaN HEMT) 半桥LLC 软开关 损耗分析 
高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管
《半导体信息》2018年第5期9-9,共1页
英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。可以看出器件采用的是分流式漏极,这可以评估由于与磁场相互作用引起的电子路径偏差。这些器件的相对灵敏度由漏极端...
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 磁感应 相对灵敏度 研究人员 塞尔维亚 相互作用 漏极电流 
美国Integra技术公司推出敌我识别航空电子用高功率氮化镓晶体管
《半导体信息》2018年第4期7-8,共2页
美国Integra技术公司推出一种采用氮化镓（GaN）技术的敌我识别（IFF）航空电子用晶体管IGN1011L120，可提供120W峰值输出功率。
关键词：INTEGRA 航空电子 敌我识别 晶体管 氮化镓 技术 美国 高功率 
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