高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管  

出　　处：《半导体信息》2018年第5期9-9,共1页Semiconductor Information

摘　　要：英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。可以看出器件采用的是分流式漏极,这可以评估由于与磁场相互作用引起的电子路径偏差。这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉（T）中磁场上的总漏极电流给出。

关 键 词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 磁感应 相对灵敏度 研究人员 塞尔维亚 相互作用 漏极电流 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]