漏极电流

作品数：54被引量：25H指数：3
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东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
《变频器世界》2024年第3期35-35,共1页
3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称“东芝”)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700V、漏极电流(DC)额定值为250A的SiCMOSFET模块“MG250V2YMS3”,并扩大了产品阵容。
关键词：存储装置 漏极电流 批量生产 产品阵容 第三代 电子元件 东芝 
碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展被引量：1
《微电子学》2023年第2期286-294,共9页杨可 左石凯 王尘 蒋见花 陈铖颖 
国家自然科学基金资助项目(61704143,61904155);福建省自然科学基金面上项目(2020J01295);厦门市2020年青年创新基金资助项目(3502Z20206074);厦门市重大科技项目(3502Z20221022)。
随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电...
关键词：碳纳米管 漏极电流 隧穿效应 寄生效应 紧凑模型 
ST MASTERGAN1 650V氮化镓(GaN)晶体管半桥驱动方案
《世界电子元器件》2020年第11期40-41,共2页
ST公司的MASTERGAN1是650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的...
关键词：系统级封装 DC/DC 漏极电流 击穿电压 栅极驱动 开关电源 太阳能电源 材料清单 
安世半导体推出低RDS(on)功率MOSFET
《电子质量》2020年第2期42-43,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市...
关键词：功率MOSFET 安全工作区 MOSFET器件 漏极电流 栅极电荷 分立器件 半导体 市场领先 
面向低功耗高频应用的40 nm MOSFET漏极电流噪声建模
《固体电子学研究与进展》2019年第5期329-332,共4页徐振洋 李博 王军 
国家自然科学基金资助项目(69901003);四川省教育厅科研资助项目(18ZA0502)
针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,...
关键词：纳米MOSFET 弱反型区 噪声机理 低功耗 高频 
温度对SiC MOSFET电流和电压变化率影响分析被引量：7
《太阳能学报》2019年第8期2368-2375,共8页廖兴林 李辉 黄樟坚 王坤 胡姚刚 曾正 
国家重点研发计划(2018YFB0905700);国家自然科学基金(51675354;51761135014);重庆市重点产业关键技术创新专项(cstc2017zdcy-zdyf0124)
由于SiC MOSFET的半导体物理和器件内部参数会随着温度的变化而发生变化,导致温度变化也会影响SiC MOSFET的动态特性。该文以其漏极电流变化率dID/dt、漏源极电压变化率dVDS/dt这2个动态性能参数为例,重点从实验的角度分析其随温度变化...
关键词：碳化硅 MOSFET 温度 漏极电流 漏源极电压 
应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善
《微电子学》2019年第2期279-283,共5页卢小雨 蔡巧明 龙世兵 张烨 张陶娜 杨菁国 张云香 
国家自然科学基金资助项目(61521064;61322408);国家重点研发计划项目(2016YFA0201803);中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC048)
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能。Si_3N_4层应力值、SiO_2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产生影响,增加了SMT工艺应用的难度。对三组实验结果进行分...
关键词：应力记忆工艺 NMOS器件 饱和漏极电流-关态漏极电流 
硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
《半导体信息》2019年第1期2-4,共3页
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行...
关键词：三栅极 多通道 高电子迁移率晶体管 漏极电流 导通电阻 III 
金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
《半导体信息》2019年第1期5-7,共3页
日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中热管理是实现更高功率密...
关键词：金刚石 SIC InAlGaN 漏极电流 阻挡层 热控制 
一款用于高频碳化硅晶体管的八边形单元拓扑结构
《半导体信息》2019年第1期9-10,共2页
美国北卡罗莱纳州立大学Kijeong Han和BJ Baliga开发了一款4H-多型碳化硅(4H-SiC)八边形电池功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其降低了栅极电容和电荷,提高了频率品质因数(HF-FOM),使其优于传统的线性布局器件。Han和Baliga表...
关键词：漏极电流 碳化硅 拓扑结构 八边形 
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