栅极电荷

作品数：90被引量：16H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信电气工程更多>>
相关作者：雷兴华王彬金健张卫徐敏更多>>
相关机构：德克萨斯仪器股份有限公司电子科技大学上海新昇半导体科技有限公司尼克森微电子股份有限公司更多>>
相关期刊：《无线电》《电气传动自动化》《中国集成电路》《天津工业大学学报》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法
《高电压技术》2024年第4期1583-1595,共13页汪涛 黄樟坚 虞晓阳 张茂强 骆仁松 李响 
南瑞集团有限公司科技项目(JS2101854)。
碳化硅(SiC)MOSFETs短路承受能力弱,研究其短路保护方法成为保障电力电子设备安全运行的重要课题。现有方法大多围绕低压小功率SiC MOSFETs,然而随着电压和功率等级的提升,器件特性有所差异,直接套用以往设计难以实现高压大功率SiC MOSF...
关键词：SiC MOSFETs 高压大功率 短路保护 器件特性 漏源极电压 栅极电荷 
基于GaN器件的有源箝位正激变换器设计
《现代电子技术》2024年第6期119-123,共5页汪渭滨 徐海军 王伟 
有源箝位正激变换器因为开关管的软开关控制,可以降低高频下的开关损耗,已是中型功率隔离变换器实现高效率、高功率密度的主流解决方案。文中基于有源箝位正激变换器设计一款输入28 V、输出3.3 V/30 A的电源样机,开关频率为700 kHz,原...
关键词：有源箝位正激变换器 氮化镓 开关管 栅极电荷 平面变压器 同步整流 
600V EF系列快速体二极管MOSFET
《传感器世界》2021年第1期42-42,共1页
Vishay推出第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET器件——SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n系列SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29%,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻...
关键词：导通电阻 栅极电荷 MOSFET器件 功率转换 优值系数 体二极管 SIH 企业级 
Infineon IGOT60R070D1 600 V增强GaN功率晶体管应用方案
《世界电子元器件》2020年第12期34-37,共4页
Infineon公司的IGOT60R070D1是Cool Ga NTM600 V增强氮化镓(Ga N)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有最高质量的最高的效率和功率密度.增强模式晶体管通常处于开关态(OFF),具有超快开关速度,没有反向恢复的电荷,并能反向导通.器件具有低栅...
关键词：功率晶体管 开关速度 栅极电荷 反向恢复 氮化镓 坚固性 GaN 功率密度 
Vishay推出新款30V MOSFET半桥功率级模块输出电流提高11%
《半导体信息》2020年第4期13-13,共1页
Vishay推出新款30Vn沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET和低边SkyFET MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR 3.3mm×3.3mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少...
关键词：肖特基二极管 导通电阻 栅极电荷 功率转换 通信应用 元器件数量 内部连接 功率级 
安世半导体推出低RDS(on)功率MOSFET
《电子质量》2020年第2期42-43,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市...
关键词：功率MOSFET 安全工作区 MOSFET器件 漏极电流 栅极电荷 分立器件 半导体 市场领先 
Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度
《半导体信息》2020年第1期10-10,共1页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK■1212-8S封装,10V条件下导通电阻达到业内最低的3.5mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 最佳水平 功率密度 
Vishay高效80V MOSFET实现最佳优值系数
《半导体信息》2020年第1期10-11,共2页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款6.15mm×5.15mm PowerPAK■SO-8单体封装的—SiR680ADP,它是80V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 优值系数 功率转换 开关电路 拓扑结构 最佳水平 
Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
《电源世界》2019年第4期17-18,共2页
器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC.Qoss为34.2nC,采用PowerPAK■1212-8S封装宾夕法尼亚、MALVERN-2019年8月12日-日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宜布,推出新款60 V TrenchFET■第四代n沟道功率MO...
关键词：栅极驱动电路 功率MOSFET 导通电阻 栅极电荷 首款 Power 
元器件与组件
《今日电子》2018年第Z1期96-97,共2页
汽车用标准瞬态抑制二极管阵列新型汽车用标准瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)符合生产件批准程序(PPAP)要求。该系列产品为汽车制造商和高端工业制造商提供了从晶圆制造到用于其产品的设备测试的知名且享有盛誉的单一来源流。这些符合AE...
关键词：片式电阻 晶体管 稳压器 电阻值 瞬态抑制 导通电阻 功率耗散 栅极电荷 元器件 晶圆制造 外形尺寸 
全选清除导出
共9页<123456789>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部