功率MOSFET

作品数：998被引量：715H指数：12
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基于同步辐射的SGT MOSFET失效无损检测技术
《半导体技术》2025年第2期181-186,共6页万荣桂 郑理 王丁 周学通 沈玲燕 程新红 
集成电路材料全国重点实验室自主课题(SKLJC-Z2024-C02)。
屏蔽栅沟槽型MOSFET(SGT MOSFET)在应用中,鉴于电路中存在寄生电感或感性负载,该器件极易受非箝位电感开关(UIS)应力的影响,可能导致器件烧毁失效。采用X射线衍射形貌(XRT)技术对SGT MOSFET雪崩失效后的X射线衍射图像进行研究。在不损...
关键词：屏蔽栅沟槽型功率MOSFET 雪崩失效 同步辐射 无损检测 截面拓扑 
意法半导体隔离栅极驱动器:碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
《变频器世界》2024年第8期46-46,共1页
意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,非常适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动...
关键词：栅极驱动器 功率MOSFET 意法半导体 半桥 电气隔离 IGBT 无缝集成 安全控制 
基于数据驱动的功率MOSFET可靠性预测综述
《微电子学》2024年第4期644-652,共9页高乐 任默 刘超铭 
国家自然科学基金(12275061)。
随着大数据和计算技术的发展,数据驱动的可靠性预测方法在电子和电力系统领域正被越来越广泛地应用。对国内外功率场效应晶体管(MOSFET)数据驱动的可靠性预测方法进行介绍和分析,揭示该方法从经典统计方法到先进机器学习方法的演变过程...
关键词：功率MOSFET 可靠性预测 机器学习 数据驱动 
英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80OV MOSFET OptiMOS^(TM)7
《变频器世界》2024年第4期42-42,共1页
2024年4月15日,英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET技术——OptiMOS^(TM)780V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5×6mm²SMD封装。这款OptiMOS^(TM)780V产品非常适合...
关键词：导通电阻 英飞凌科技 功率MOSFET 电机控制 电动汽车 稳健性 TM 功率密度 
功率MOSFET抗单粒子加固技术研究被引量：1
《集成电路与嵌入式系统》2024年第3期19-22,共4页陈宝忠 宋坤 王英民 刘存生 王小荷 赵辉 辛维平 杨丽侠 邢鸿雁 王晨杰 
针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂...
关键词：功率MOSFET 单粒子效应 抗辐射加固 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
功率MOSFET在永磁同步电机控制中的影响和分析
《现代雷达》2024年第3期82-86,共5页田朝阳 朱德明 王兴理 佟月伟 
在现代雷达控制系统中,伺服系统的转速稳定性和定点精度,直接影响到最终成像品质。文中针对伺服系统常用的永磁同步电机控制器中的功率器件金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)展开研究,主要分析了MOSFET的米勒效应,介绍了MOSFET的...
关键词：金属-氧化物半导体场效应晶体管 米勒效应 电机控制 驱动电路 
SOP8功率MOSFET结壳热阻与封装可靠性研究
《电子元件与材料》2024年第3期359-366,共8页何成刚 朱岚涤 陈胜全 农百乐 刘吉华 
广东省普通高校特色创新项目(2023KTSCX151);广东省基础与应用基础研究基金项目(2019A1515110807);五邑大学高层次人才科研计划项目(AG2018001)。
为研究SOP8双MOS芯片结壳热阻与封装可靠性,建立了封装芯片模型。运用有限元软件通过构建热-结构模块仿真了在EME-E115与CEL-1702HF两种塑封材料下的芯片结壳热阻情况,分析了热量在封装芯片内部的主要传递路径。对比分析了两种塑封仿真...
关键词：SOP8封装 MOSFET 热阻 热应力 
同步整流电路中控制器选型与应用研究
《科技创新与应用》2024年第8期129-132,136,共5页闫亮 
同步整流电路,是采用导通电阻非常低(mΩ级)的功率MOSFET,代替普通整流二极管以降低功率损耗的一种技术。同步整流控制芯片是该电路的大脑,当使用功率MOSFET作整流管时,需要栅极电压和被整流的电压相位保持同步才完成,同步整流电路可以...
关键词：同步整流电路 控制芯片 功率MOSFET 直流电源 变压器 
空间辐射环境下SiC功率MOSFET栅氧长期可靠性研究被引量：1
《电子元件与材料》2024年第2期182-189,共8页杜卓宏 肖一平 梅博 刘超铭 孙毅 
国家自然科学基金(12275061)。
利用等效1 MeV中子和γ射线对1200 V SiC功率MOSFET进行辐射,研究了电离损伤和位移损伤对器件的影响,并分析了辐射后器件栅氧长期可靠性。结果表明:中子辐射后器件导通电阻发生明显退化,与辐射引入近界面缺陷降低载流子寿命和载流子迁...
关键词：SiC功率MOSFET 电离辐射 中子辐射 时间依赖的介质击穿(TDDB) 可靠性 
基于半桥结构的双极性脉冲电源的研究
《强激光与粒子束》2024年第2期28-34,共7页潘英进 熊奕鸣 李孜 姜松 饶俊峰 
国家自然科学基金项目(12205192)。
为了满足脉冲电场消融的应用需求,解决单极性脉冲电场分布不均匀的问题,研制了一台基于半桥结构的主电路、具有纳秒级前沿的高重复频率双极性亚微秒高压脉冲电源。该脉冲电源由FPGA提供控制信号,经过驱动芯片放大控制信号后,利用光耦隔...
关键词：双极性脉冲 脉冲电源 高重复频率 功率MOSFET 光耦隔离 
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